90nmPMOS器件单粒子效应及其保护措施的仿真研究的任务书任务书项目名称：90nmPMOS器件单粒子效应及其保护措施的仿真研究背景：随着集成电路技术的不断发展，芯片的制造工艺也不断升级，芯片制造工艺从65nm到10nm的跨越，降低了芯片的尺寸，同时也提高了芯片的成本。在这一过程中，电子设备而言，硅片上集成的器件数量翻倍，器件尺寸缩小，器件工作频率升高，功耗提高等问题凸显。此外，在长时间运行的情况下，环境因素和宏观物理效应可能会影响器件的性能。单粒子效应（SingleEventEffect,SEE）是指宇宙射线、自然环境、射线源等引起芯片工作失真或失效的一个现象。在集成电路技术的不断发展，芯片的制造工艺也不断升级的背景下，单粒子效应成为一个难以避免的问题。特别是在航天、核电和国防等领域重要的应用场合，这个问题十分严重，如果不加以解决可能会引起重大的安全事故和损失。任务：因此，本项目旨在研究90nmPMOS器件单粒子效应及其保护措施的仿真研究，具体任务如下：1.分析器件结构及电流特性，利用TCAD软件进行90nmPMOS器件的仿真模拟；2.探究单粒子效应在90nmPMOS器件中的机理及具体表现形式；3.建立针对单粒子效应的保护技术，包括硅、支撑材料、在工艺中增加保护措施等方面总结经验，并根据模拟结果对方法进行验证，以优化设计；4.利用实验室的测试设备，进行实验室测试验证，评估提出的保护措施的可行性和有效性，并通过测试结果与模拟结果进行对比和分析；5.给出性价比优的90nmPMOS器件保护解决方案，实现降低芯片中单粒子效应风险。要求：1.学术性强，经验丰富，具备模拟分析能力和实验技能，能够对相关硅芯片进行分析和优化，分析其中的单粒子效应问题；2.具备较强的动手实验能力，能够独立完成实验的设计、搭建、测试及数据处理等工作；3.具有较强的团队合作能力，能够熟练运用相关软件和工具进行工作，并能够为团队成为TechnicalLeader。报告要求：1.形式：电子版、纸质版及口头汇报等多种形式；2.内容：（1）对单粒子效应现象及其影响的分析；（2）对90nmPMOS器件单粒子效应的模拟结果和实验结果的分析与比较；（3）根据分析结果提出的保护措施以及具体实施方案；（4）研究工作的意义、创新点、不足之处及今后建议。参考资料：[1]T.Yoshimoto,K.Maeda,andM.Miyashita,“Radiationeffectson90-nmtechnologyCMOSdevicesandcircuits,”IEEETrans.Nucl.Sci.,vol.51,no.6,pp.3482–3486,Dec.2004.[2]R.Ecoffet,F.Wrobel,J.Armitage,R.Koga,andH.Funaki,“SingleeventupsetgenerationinSRAMsandanaloguecircuitsatgroundlevel,”inProc.RADECS,2008,pp.187–192.[3]W.H.Wei,S.K.Ko,W.H.Hsu,F.L.Hsiao,andJ.J.Chen,“Single-eventupsetanalysisofSRAMandlatchcellsin90nmbulkCMOS,”IEEETrans.Nucl.Sci.,vol.57,no.4,pp.2092–2099,Aug.2010.[4]Y.Q.Li,G.L.Zhang,andB.Zhang,“Investigationofsingleparticle-inducedfailuremechanismof90nmTezzaron3-DSRAMmemorybysimulationandexperiment,”Solid-StateElectron.,vol.100,pp.58–64,Aug.2014.