HMXTATB共晶机理及TATB晶习的理论研究的中期报告本研究的中期目标是理解TATB共晶机理及其晶体物理学特性，为后续的工程设计提供理论基础。在前期研究的基础上，我们进行了以下工作：1.建立了TATB共晶的理论模型我们采用分子动力学（MD）模拟方法，建立了TATB和HMXT共晶的理论模型，并通过模拟得到了共晶比例和结晶形貌。模拟结果表明TATB与HMXT的共晶比例为1：1，并且在结晶过程中，TATB晶粒占优势地位。2.研究了TATB晶习的机理通过对TATB单晶的MD模拟，我们研究了TATB晶习的过程和机理。模拟结果表明，在初始化晶体中，TATB分子的另一端更容易形成晶体结构，而晶体的生长主要由该部分分子进行。在生长过程中，分子的靠近和排列方式决定了晶体的生长方向和形貌。3.分析了TATB共晶机理我们采用能带理论和密度泛函理论研究了TATB和HMXT共晶物质的能带结构和化学键性质。结果表明，TATB和HMXT之间的相互作用主要是通过氢键进行的，并且这种作用对共晶物质的机械性能和化学稳定性产生了影响。综上所述，我们建立了TATB共晶模型，研究了TATB晶习的机理，并分析了共晶机理。这些结果为后续的工程设计提供了理论基础。我们将继续进行实验室测试和数值模拟研究，以深入理解TATB共晶机理及其晶体物理学特性。