§3.6微波晶体管功率放大器§3.6微波晶体管功率放大器功率放大器的特点3.6.1功率放大器的特性功率附加效率功率压缩1dB压缩点输出功率动态范围交调失真交调失真（续）交调系数交调失真（IMD）3阶交调调幅．调相转换3.6.2晶体管的大信号特性功率放大器工作状态甲类工作状态放大器几种工作状放大器工作状态和效率其它功率放大电路3.6.3用小信号S参数设计功率放大器基本工程问题:没有大信号器件模型,怎样设计功率放大器?小信号S参数法的局限性基本设计流程图：设计步骤：小信号设计流程图:小信号设计过程说明：根据MESFET管IV曲线，计算最大RF功率输出时的负载线RLCalculatingMESFETloadline(RL)forMaxRFpowerfromitsIVcurves计算负载线电阻计算负载线电阻（续）计算最小击穿电压与RL的关系:计算最小击穿电压与RL的关系（续）对指标仿真的可行性DeviceDataSheet:FujitsuFLL351ME选管DeviceDataSheet:S-parametersDeviceDataSheet:S-parametersDataSheet-MatchingTopologyDataSheet-MatchingTopologyFLL351ME负载线计算：工作在A类状态下的RLDeviceOutputCircuit:ModelIncludesPackageElementsMESFET管的输出电路模型：LumpedElementMatchingTopology集总元件匹配电路结构：DistributedElementMatchingTopology分布参数元件匹配电路:EvaluationCircuit:FujitsuFLL351MESimulationSetup:FLL351MESimulationSetup:FLL351MEMeasurementEquationsInitialSimulationResults初步仿真结果器件的输出匹配：EquivalentCircuit:PackagedMESFET提取封装参数设置（1/2）从小信号S参数提取封装寄生元件提取封装参数设置（2/2）测量与模型结果测量与模型结果（续）SimulationSetup:OutputMatchtoRLforMaxRFPower根据管子的小信号S参数模型和IV曲线，仿真放大器的输出功率特性：OutputMatchtoRLSchematicforSimulatingZPresentedtotheDevice’sInternalDrainTerminals反映到漏极的负载阻抗ZOptimizetoImproveMatchtoRL根据管子的小信号S参数模型和IV曲线，优化放大器的输出功率特性：Results:ImprovedMatchtoRLLoadZafterOptimizingRLMatchAmplifierStabilityFactor(K)放大器稳定因子KAddaShortedStub/50OhmResistorStabilizationNetworktoAmplifierInput“K”resultswiththeStabilizationNetwork优化结果3.6.4功率合成技术3．6．4功率合成技术功率合成技术分类器件级合成器件级合成的限制电路合成谐振式功率合成非谐振式电路合成非谐振式电路合成非谐振式电路合成空间功率合成和准光合成空间功率合成和准光合成其他功率合成方式附录：功率放大器性能指标1W卫星通信功率放大器技术指标10W卫星通信功率放大器技术指标脉冲功率放大器技术指标高功率固态甲乙类线性功率放大器用于移动通信的功率放大器