原子层淀积高k介质MIM电容性能研究的中期报告这是一个研究高介电常数介质MIM电容的项目的中期报告。该项目的目标是研究使用原子层淀积技术来制备具有高电容密度和低漏电流的MIM电容。本篇中期报告主要介绍了研究进展及实验结果。实验采用了原子层淀积技术来制备高介电常数介质薄膜，包括HfO2和Al2O3。我们研究了不同淀积时间和温度下膜的微观结构和电学性质，并使用了表征技术，如原子力显微镜（AFM）、X射线衍射仪（XRD）和电学测试系统（LRC仪器）等。结果表明，HfO2和Al2O3薄膜能够通过原子层淀积技术以高质量的形式进行制备。通过控制淀积温度和时间，可以制备出不同厚度的高质量薄膜。薄膜的微观结构和晶体结构的变化与电学性质的变化密切相关。观察到膜的厚度和淀积温度对MIM电容性能的影响非常明显。我们发现当HfO2和Al2O3的厚度分别为2.5nm和3.5nm时，分别具有最低的漏电流密度。未来的研究将进一步探讨薄膜的微观结构和电学性能之间的关联，并进一步优化原子层淀积过程以实现更高的电容密度和更低的漏电流密度。