7．影响淀积层质量的因素半导体单晶薄膜质量表征参数半导体单晶薄膜质量表征参数半导体单晶薄膜质量表征参数7．影响淀积层质量的因素7.1.1.反应混合物的供应－－决定材料层质量重要因素之一反应物分压之间的相互比例TMA-TMG-DEZn-H2Al0.3Ga0.7As/GaAs（630℃）气相反应物分压对淀积层纯度的影响例Ga-AsCl3-H27.1.2淀积温度－主要的工艺条件衬底温度的影响淀积温度对淀积物化学组成的影响衬底温度的影响－自掺杂效应淀积温度影响降低淀积温度新体系选择淀积温度的影响---AsCl3-Ga-N2淀积温度的影响TMA-TMG=DEZn-H2Al0.3Ga0.7As/GaAs降低淀积温度7.1.3衬底材料的影响衬底材料的选择衬底晶面取向晶面取向对外延层生长的影响衬底取向对GaAs外延层性能影响衬底晶面取向Si外延层形貌的影响衬底表面状况与表面处理InSitu气相腐蚀InSitu气相腐蚀7.1.4．系统内总压和气体总流速气体总流速对材料纯度的影响7.1.5反应系统装置的因素7.1.6.源材料的纯度7．2表面形貌和生长动力学外延层表面形貌周期性键链（PBC）模型假想的立方晶体模型表面形貌与生长条件的关系角锥体形成过程模型凹坑的形成过程模型