2第0015期年仪表技术与传感器InstrumentTechni(1ueandSensorNo．1基于ARM的嵌入式系统FLASH接口设计与编程马海红，何嘉斌(武汉理工大学信息工程学院，湖北武汉430070)~：ARM芯片与FLASH存储器的接口与编程是实现基于ARM的嵌入式系统的一个重要环节。以高性能、低功耗的$3C4510B芯片和常见的FLASH芯片HY29LV160设计的嵌入式网络系统为例，具体介绍了ARM芯片与FLASH存储器的接口电路设计、接口电路的调试方法和FLASH存储器的擦写编程方法。关键词：接口设计；调试；擦写编程；ARM；FLASH中图分类号：TP333文献标识码：A文章编号：1002—1841(2005)01—0039—04DesignofFLASHInterfaceandProgramforEmbeddedSystemBasedonARMMAHai．hong，HEJia．bin(SchoolofInformationEngineering，WuhanUniversityofTechnology，Wuhan430070，China)Abstract：ThedesignofinterfaceandprogrambetweenARMCMOSchipandFLASHmemoryplaysanimportantroleintheimple—mentationofane~dedsystembasedonARM．Thedesignofinterface．thewayofdebugongandprogrambetweenARMCMOSchipandFLASHmemorywerl~introdecedindetail，throughaSuccessfulembeddednetworksystembasedon$3C4510Bwhichishighperfor-manceandlowpowerandHY29LV160oftenused．KeyWords~InterfaceDesign；Debug；EraseandProgram；ARM；FLASH1引言ARM7TDMI为低功耗、高性能的16／32位核，最适合用ARM作为一种16／32位的高性能、低成本、低功于对价格及功耗敏感的应用场合。除了ARM7TDMI耗的嵌入式RISC微处理器，目前已经成为应用最为广核以外，$3C4510B内嵌一个以太网控制器，支持媒体泛的嵌入式微处理器，遍及工业控制、消费类电子产独立接口(MII)和带缓冲DMA接口(BDI)，适用于嵌入品、通信系统、网络系统、无线系统等各类产品市场，式以太网应用的集成系统。占据了32位RISC微处理器75％以上的市场份额，2．2S3CA510B系统存储器映射ARM技术正在逐步渗入到生活的各个方面。l5J$3C4510B采用统一编址的方式，将系统的片外存FLASH存储器是一种可在系统自身(In—system)作储器、片内存储器、特殊功能寄存器和外部的I／O设电擦写，而且掉电后信息不丢失的存储器。它具有低备，都映射到64MB的地址空间，同时，为了便于管功耗、大容量、擦写速度快、可整片或分扇区在系统编理，又将地址空间分为如图l所示的若干个存储器组。程(烧写)、擦除等特点，并且可由内部嵌入的算法完每个存储器组在组内通过基指针(BasePointer)寻址。成对芯片的操作，因而在各种嵌入式系统中得到了广其寻址范围是64kB(16位)，而基指针本身为l0位，泛的应用。因此s3C4510B的最大可寻址范围是226=64MB(或ARM芯片与FLASH存储器的接口电路设计与调16M字)。通过配置包含基指针和尾指针的特殊功能试以及对FLASH存储器的编程与擦除是嵌入式系统寄存器，可以设定每个存储器组的大小和位置。在进设计中的一项重要技术。FLASH存储器通常装载着嵌行系统存储器映射时，用户可利用基指针和尾指针设入式系统的Bootloader程序和操作系统的核心代码，因置连续的存储器映射，但是每2个相连的存储器组的此这部分的稳定与否直接决定整个系统能否运作。地址空间决不能重叠，即使这些组被禁用。2嗍内核网络芯片S3CA510B在上电或系统复位后，所有组的地址指针寄存器2．1$3C4510B芯片简介都被初始化到其缺省值。除ROM／SRAM／FLASH组0Samsung公司的$3C4510B是基于以太网应用系统(其尾指针和基指针的复位值分别为0x200和Ox0)和的高性价比16／32位RISC微控制器，内含一个由ARM特殊功能寄存器组(其基址针在系统复位时被初始化公司设计的16／32位ARM7TDMIRISC处理器核。为0x3FF0