F-T合成CoSiC催化剂的研究的中期报告报告摘要：本中期研究报告介绍了F-T合成CoSiC催化剂的制备、表征和性能评价。首先采用共沉淀法制备了四种不同钴和硅载体比例的CoSiC催化剂，经XRD、TEM、XPS和N2吸附-脱附等多种表征手段对催化剂进行了表征。结果表明，催化剂的晶体结构主要为钴铁酸盐相，硅载体存在于催化剂的表面。钴和硅的比例会影响催化剂的晶体结构和比表面积。接着，对制备的CoSiC催化剂进行了流化床反应评价，采用H2/CO为反应气体，反应温度为220~250℃，反应压力为1~2MPa，空速为6000h^-1。结果表明，催化剂的活性随硅载体含量的增加而降低，但选择性和稳定性提高。较优的催化剂为Co/Si=5，该催化剂体现出了良好的F-T合成性能，产物主要是C5+烃烷类和C5+烃烯类，氧、硫和氮杂质含量较低，选择性超过90%。综合上述结果，本研究成功地制备了一种CoSiC催化剂，通过对其晶体结构和比表面积的控制，实现了对F-T合成的优化。进一步的研究工作将会探究催化剂性能的优化和应用于工业生产中的可行性。