Ⅰ类瓷片电容器特性Ⅰ类瓷，也叫做温度补偿型（TemperatureCompensatingType），是专门设计并用在低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路中的一种电容器例如，在电路中作温度补偿之用。该类陶瓷介质是由标称温度系数（α）来确定。其特性符合以下标准：用途：1).谐振回路；2).对Q值要求高的电路；3).高稳定的容量特性。二、温度系数、额定电压、静电容量关系表：温度特性NP0SLN150N220N470N750额定电压(VDC)50-20050-200500-1000200050-20050-20050-20050-200标称容量范围(pF)0.5-39047-100022-68018-47012-22015-22020-27015-470测试条件1MHz±20%,1.0Vrms±0.2Vrmsat25±2℃容量误差±0.25pF,±0.5pF,±1%(CR：0.5pF～10pF)±5%,±10%(CR>10pF)使用温度范围-25℃~+125℃Q值/DF值CR≥30pF:Q1000CR<30pF:Q400+20*CR；DF≤0.15%绝缘电阻Ri≥10000MΩUR(UR≥500VDC测试电压为500VDC)充电60S耐电压测试UR<1KVDC:2.5URUR≥1KVDC:1.5UR+500V构造尺寸说明：(1).上图为标准引线长度、形式图形，但也可根据客户要求进行生产。(2).C尺寸要求为：环氧树脂包封3.0mm最大；酚醛树脂包封额定电压在250VDC以上者为2.0mm最大，否则为1.5mm最大。.D与T尺寸根据标称容量与额定电压大小决定，一般来说：同材质情况下，容量越大，D尺寸越大；额定电压越高，T尺寸越厚。(4).可根据客户要求生产散件与适合A/I自动插件的编带(带装)产品。三、编带尺寸规格弯脚型：直脚型：编带尺寸规格表：项目标记特征值备注标称值(mm)允许误差(mm)本体直径D11.0max本体厚度T3.5max引脚直径d0.6+0.06/-0.05元件中心间距P12.7+/-1.0编带孔中心间距P012.7+/-0.3编带孔中心与元件引脚间距P13.85+/-0.7编带孔中心与元件中心间距P26.35+/-1.3元件脚距F5.0+0.8/-0.2△H0+/-2.0编带宽度W18.0+1.0/-0.5胶纸宽度W05.0min胶纸内边距W19.0+/-0.5胶纸外边距W23.0max元件下沿到编带孔中心之高度H20.0+1.5/-1.0弯脚底部到编带孔中心之高度H016.0+/-0.5元件上沿到编带孔中心之高度H132.25max元件底部引脚允许超出编带长度l1.0max编带孔直径D04.0+/-0.2编带厚度t0.7+/-0.2L11.0max四、电性能4.1静电容量电容器之静电容量是以图一、图二、图三为原则，依据测定条件定其容量应在规定允许误差范围内，并在室温25℃之状态下进行。4.2损耗角(tanδ)及Q值与静电容量之测量同一条件下进行，并以下式计算时满足下表。特性Q规定值静电容量Q值A-U30pF以上Q≧10000及SL30pF未满Q≧400+20CV-Z30pF以上Q≧500及YH30pF未满Q≧200+10C损失角(tanδ)=ωCxRxω:2πf(f为测试频率，Hz)(C1-C2)Q1Q2Cx:供试电容器之静电容量（F）Q=Rx:供试电容器之等效电阻（Ω）C1(Q1-Q2)五、特殊试验5.1折曲试验保持受测电容器之道线与其正规引出轴垂直，若无特别之规定，在道线之末端悬以0.5Kg之重量，将电容器本体做90。之弯曲，然后返回原位置，再以同样的速度作向后90。之弯曲，仍还回原来位置，如此反复一次道线不致折断。5.2抗张强度试验将受测体固定，在道线引出方向末端悬以0.5Kg之重量保持10S，道线不致与本体脱离或折线。5.3焊接性试验将受测体之道线浸于洁焊接剂至离本体切线4.5mm处后，浸人温度约230℃±5℃锡溶液中致道线跟部4mm直到2±0.5s，取出后道线周围没有裂痕。5.4高温负荷测试将温度保持在受测体之最高使用温度开始在两引线间加以工作电压2倍之直流电压500±12小时，若进行中有短路时，取出不良之受测体，其余继续试验，试验后之特性必须满足如下记：静电容量变化率为±30%以内，Q或tanδ为7.5%以下，IR为1000MΩ以上。5.5耐温负荷试验将受测之本体转于温度40±20℃湿度90-95%之状态中继续加以工作电压1000±1小时以后，取出置于常温、常湿中1小时，再测其电特性，其值必须在规定容量范围内。六、代号标识6