目录1.模组组成（图示）及原理（光学及电子）2.芯片的分类、特点、发展3.模组与手机方案设计的关系4.模组生产相关技术及图纸1.模组组成（图示）及原理（光学及电子）1.1模组构造图LENSHOLDIRSENSORFPC镜片2镜片1镜片3镜片4FPC结构及材质说明PIAD保护膜CUADPI基材ADCUAD保护膜PI不绣钢片和补强SENSOR结构说明感光区GLASSDIE1.模组组成（图示）及原理（光学及电子）1.2名词FPC:FlexiblePrintedCircuit可挠性印刷电路板PCB:PrintedCircuitBoard印刷电路板Sensor:图象传感器IR:红外滤波片Holder:基座Lens:镜头Capacitance:电容Glass:玻璃Plastic:塑料CCM：CMOSCameraModule1.模组组成（图示）及原理（光学及电子）1.2名词BGA:BallGridArrayPackage球栅阵列封装，在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚。CSP:ChipScalePackage芯片级封装。COB:Chiponboard板上芯片封装,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现。COG:ChiponglassCOF:ChiponFPCCLCC:CeramicLeadedChipCarrier带引脚的陶瓷芯片载体，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。PLCC:PlasticLeadedChipCarrier带引线的塑料芯片载体，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形，是塑料制品。1.模组组成（图示）及原理（光学及电子）1.3sensor分类分类成像原理CMOS、CCD封装工艺CSP-I、CSP-II、COBCIF、VGA、SXGA、UXGA、QXGA、…像素范围10万、30万、130万、200万、300万、…像面尺寸1/3″、1/4″、1/5″、1/6″、…其他工艺SMT、BANDING；有铅（Pb)、无铅（RoHS,Pb）规格指标1.模组组成（图示）及原理（光学及电子）1.4sensor的平面图成像面中心点（227.3，122.2）SENSOR封装中心点（0，0）1.模组组成（图示）及原理（光学及电子）1.5CCD和CMOS的区别1.6.1CCD（ChargeCoupleDevice）定义：即电荷耦合器件，它是目前比较成熟的成像器件，是以行为单位的电流信号。传统彩色CCD感光单元及滤色镜的排列是方形的，以G-R-G-B型CCD为例，可以简单理解为4个感光单元的中心点构成一个“像素点”，这样，每个感光单元的光值都是复用的，使用了4次（边缘部位除外），每4个感光单元计算出4个像素。1.6.2CMOS（ComplementaryMetal-OxideSemiconductor）定义：即互补型金属氧化物半导体。它被看作未来的成像器件，因为CMOS结构相对简单，与现有的大规模集成电路生产工艺相同，从而生产成本可以降低。从原理上，CMOS的信号是以点为单位的电荷信号，更为敏感，速度也更快，更为省电。现在高级的CMOS并不比一般CCD差，但是CMOS工艺还不是十分成熟，普通的CMOS分辨率低而成像较差，太容易出现杂色点。2.芯片的特点、分类、发展2.1芯片分类和特点序号0102030405060708091011名称像素尺寸高度接口PO4010NCIF1/1166024PO6030KVGA1/6.286724OV7660OV7670OV7680OV9650OV9653OV9655OV9660OV2640OV3630VGA1/5820VGA1/6885VGA1/10885SXGA1/4820SXGA1/41005SXGA1/41005SXGA1/5.5905UXGA1/4905QXGA1/390524242420/2420/2420/2420/2420/2420/24帧率1.5/1.8/2.8/1.5-3.3301.5/1.8/2.8/1.5-3.3301.8/2.5/3.3301.8/2.5/3.0301.8/2.5/3.0301.8/2.5/3.3151.8/2.5/3.3151.8/2.5/3.3152.5/3.0151.3/2.8/3.3151.8/2.8/3.315电源输出功率YUV/RGB41.15mWYUV/RGBTBDYUV/RGB40mWYUV/RGB60mWYUV/RGB80mWYUV/RGB50mWYUV/RGB50mWYUV/RGBTBDYUV/RGB80mWYUV/RGB125mWRGB110mW3.模组与手机