AlN薄膜腔声谐振滤波器的设计与制备的中期报告本项研究旨在设计和制备AlN薄膜腔声谐振滤波器，其中AlN薄膜作为基底，并在其上制备声谐振器。本报告为中期报告，主要介绍了已经完成的工作和下一步研究计划。已完成的工作1.AlN薄膜的制备使用射频磁控溅射技术在硅衬底上制备AlN薄膜。通过调节溅射气体流量和沉积时间可以控制薄膜厚度和质量。使用XRD、SEM和AFM等测试手段对AlN薄膜进行了表征。2.AlN薄膜腔声谐振器的设计根据材料的声学性质和腔体几何结构的影响，在AlN薄膜上设计了一系列不同形状和尺寸的腔体结构，并使用有限元方法对其进行模拟和优化。最终确定了一个理想的腔体结构并进行了细化。下一步计划1.腔体结构的制备使用电子束光刻和干法刻蚀技术在AlN薄膜上制备出腔体结构，并对其进行检测和表征。2.腔体谐振特性的测试使用自制的测试台对制备好的腔体进行测试，探究其谐振频率、品质因数等性质，并与模拟结果进行比较和分析。3.单元件的制备与测试将制备好的腔体与其他元器件（如微波衰减器、天线等）连接起来，制备出完整的声谐振滤波器，并进行最终测试和评估。