ICP刻蚀HgCdTe相关技术研究的中期报告本报告介绍了ICP刻蚀HgCdTe相关技术的研究进展情况。研究的目的是为了开发出一种高效、精确、可控的刻蚀方法，用于制备HgCdTe红外探测器。在实验中，我们使用了一台HgCdTe电子束光刻系统和一台ICP刻蚀系统。我们先对HgCdTe样品进行了表面清洁和处理，然后使用电子束光刻系统进行图形的制备。接着，我们使用ICP刻蚀系统对样品进行刻蚀，探究了基底温度、射频功率、气体流量等因素对刻蚀质量的影响。在实验中，我们使用了CF4、O2和Ar等气体。实验结果表明，ICP刻蚀可用于制备HgCdTe探测器。同时，我们发现了以下特点：1.基底温度对刻蚀深度和侧壁质量均有很大影响。2.射频功率对刻蚀深度影响较大，但对侧壁质量影响不大。3.CF4气体流量对刻蚀速率和表面平坦度影响较大。4.O2和Ar气体的加入可以改善刻蚀表面质量，但对刻蚀速率影响较小。总体来说，ICP刻蚀是一种高效、精确、可控的刻蚀方法。我们的研究为HgCdTe红外探测器的制备提供了新思路和方法，为进一步提高探测器的性能打下了基础。