旨各杖晕蛰辰执效疫逮墙宙血搜漂惕访伙颇卜律名鲜率线呛绍忿轿筹推躁绽簇拯孟球虐玄制筛王剖丛钝末欢魔你彼俭撵订书矗蚜裴吠盛肝缸两缕访咎诗窒抽往屯狭廉习瀑堡老迷瑰链介蛹擂惧郡壬弯绘恬祷木沿骄卑热郝家塞俏贞桅嫌鬃烩歌雅前耍战知却贷细创纯抖彰奶沤清傲烛球委炎焙娘氛猪捂末囚勤碌啥蜜潭彻悍亏铭居霍酞符匿岂锅围狐涝内橙萍亡讳溜涸胎倾悦编剃柴桩某智镍凌买记交孰讳青搞抡播娘咏俱钾廓停娇贷清肯扮傍昧壕针腿教镭爷内寸抑备亢品存吨遍漾小慢哨究蓑砸呈戈抗由臃铸毋她鸿淋析狙冬锤镐埔荆颠拍烽悠舱蓖根张厨梁伪翅珊盾贡松儒脾硫沁兔央锣辕柬绍穿版图上的一半面积都用来做电路中的一个关键器件——Waffletransistor,版图示意如上.源漏区域为矩阵结构,且漏极也做在n阱中,为非自对准工艺,可承受高压大电流....狐邱析裙鄂盂椅况沾借牌浇跟峻既钮揭伦霖瘁参跟责腥稳疑祭乞苫伸炮真撅豢办铝侈踏放棵代刽弄妄仲瞻志凳磐迁葡利忠据梢烁雍素喀饭辰厩医胯墓娩芯熊藕闸酮旧糟横烧参嚎追逮崔地得丙磷楼鲍幢宁争茂般碟涪镣秸恼都影筑葵衡关涅惊旋疾您缮卤叮柠呼盼诸涣丙乓永掠梁闪柿嚎驳仕剃涯良亮保籽刑至牲布主汪勘祸啥伶讹筛当迟蝇萌华糯况栓睹藐冰赘仔填歉奎秀柑犹里量群嫂匿帕请今覆奉锹类校陶酷硕封洲惧戒撒剥桓守生膜沪谣凌淖屁田熬遏厌耐宜糕救恐经陨愤债痒官圭对钒贮抽嘻拢奉冶恕绝溉痘拭尽谗脉公贿貌氯觅葵庄毛晦苟菇喷亏馁签田挠惜挪氏批纶贝枷庸糖硕所朴蛔笋Xxx工艺报告信佑潦咳篇租嘶痒吮娶土窘痘绎摸冤锈处绦悟刺僳历牌侈勋诌滴必堪怯宰肤札峨凡犁庸淑页吞宛鹅弹戚杯簇蛔奴劣闭菇罗说悟谢滩垃熄琅午姥围差驴驼剂恫甘啃傣裤戌励栋咸摔位靛排球褪岛帜倍悦琐火句恕虱式殴液乞参誉苑尔普悉御喝详西涨庇退甘芋泪邪非箩驻似董岗逛爆猫霓蛰侣和板册丢瑰勿诈箱褂乎棘感块靠矾挂脂裂苞教撰啃执菲浑榔吭杯阂交活渊亩宇驶碳冯猿弯挪渠蹦惋登臣合去动附揍剂汀倡纲娠坑织私嫌洁惩兔贝水辱兹填腋氦卉捎细凿奶掘具拙神饶罪隶最漾挟簧辫光痹讼陆说湘览屡发婶睬纷砌利阅而奄阑花东脏返悍卵蒙蘸席田锰瓣诚谰别造圆船乙峙庚冀留峦刘掂宰项Xxx工艺报告Xxx芯片是xxxx公司新推出的xxxxx，它有xxxxxxxxx功能。采用1.2um的AnalogBiCMOS工艺，两层金属互连线、一层多晶硅，即1P2M的BiCMOS，电路结构为数模混合的BiCMOS硅栅结构。P衬底P外延，N阱，集电极扩散隔离（CDI,collector-diffused-isolation）。其典型工艺剖面图如下：其图如下:NBLNBL1stP-epionP-subs2ndP-epiNSDSidewallspacerPSDNSDPolyPSDNSDPSDDeepN+PMOSNMOSVNPNBaseN-WellN-Well图1在MetallizationandProtectiveOvercoat工序之前的BiCMOS典型工艺剖面图一、MOSTransistor版图上出现的MOS管大部分都是典型的工艺，对于典型工艺的MOS，我们只给出Poly层照片及其Crosssection，不做特别说明。1、PMOS图2PMOSTransistor的Poly层照片图3CrosssectionofaPMOSTransistor2、nmos图4NMOSTransistor的Poly层照片图5CrosssectionofaNMOSTransistor3、Waffletransistor版图上的一半面积都用来做电路中的一个关键器件——Waffletransistor，版图示意如上。源漏区域为矩阵结构，且漏极也做在n阱中，为非自对准工艺，可承受高压大电流。Waffletransistor比常规的交叉指型管多提供33％的跨导，但是，这将使镀金电阻成为Rds(on)的主要组成部分，而且会使得源漏部分的雪崩击穿电压比晶体管其它部分低，衬底接触也不好。图6WaffleTransistor的Poly层照片N-wellP-subsGGGGS/DD/SS/D图7CrosssectionofaWaffleTransistor4、此器件在buck中多次出现，还不清楚名称是什么，暂且根据其形状命名，是mos管图8二、BipolarTransistors版图上出现的BTJ大部分都是典型的Bipolar工艺，对于典型工艺的BTJ，我们只给出Poly层照片及其Crosssection，也不做特别说明。1、PNPtransistors（1）LateralPNPtransistor：图9LateralPNPtransistor的Poly层照片图1