结型场效应管（ＪＦET)得结构与工作原理1、JＦET得结构与符号Ｎ沟道JFEＴP沟道ＪFET２、工作原理（以N沟道JFEＴ为例)N沟道JFET工作时,必须在栅极与源极之间加一个负电压-—VＧS＜0,在D－S间加一个正电压——VDS＞0、栅极—沟道间得PN结反偏，栅极电流ｉG»０,栅极输入电阻很高(高达10７W以上).Ｎ沟道中得多子(ＨYＰERLINK”"\t”＂电子)由S向D运动,形成漏极电流iＤ。iD得大小取决于ＶDS得大小与沟道电阻。改变ＶGS可改变沟道电阻，从而改变iD。主要讨论VGS对iD得控制作用以及VＤS对iＤ得影响。①栅源电压ＶGS对iD得控制作用当VＧS〈0时，PN结反偏,耗尽层变宽，沟道变窄，沟道电阻变大，IＤ减小；ＶＧS更负时，沟道更窄，ID更小；直至沟道被耗尽层全部覆盖，沟道被夹断，IＤ≈０。这时所对应得栅源电压VGS称为夹断电压VＰ。②漏源电压ＶDS对iD得影响在栅源间加电压VGS<０，漏源间加正电压ＶDS>0。则因漏端耗尽层所受得反偏电压为VGD＝VGＳ-VDS，比源端耗尽层所受得反偏电压VGS大，(如:VＧS=-2V,VDS=3V，VP=－９Ｖ,则漏端耗尽层受反偏电压为VGD＝—5V,源端耗尽层受反偏电压为－2V）,使靠近漏端得耗尽层比源端宽,沟道比源端窄,故VDS对沟道得影响就是不均匀得,使沟道呈楔形。当VDS增加到使VＧD=ＶGS－VＤS＝VP时,耗尽层在漏端靠拢,称为预夹断。当VDＳ继续增加时，预夹断点下移，夹断区向源极方向延伸。由于夹断处电阻很大,使ＶDＳ主要降落在该区，产生强电场力把未夹断区得载流子都拉至漏极,形成漏极电流IＤ.预夹断后ID基本不随VＤＳ增大而变化。①VGＳ对沟道得控制作用当VGS<0时,PＮ结反偏®耗尽层加厚®沟道变窄。VＧＳ继续减小，沟道继续变窄.当沟道夹断时，对应得栅源电压VGS称为夹断电压VP(或VＧS(ｏff)）.对于N沟道得ＪFＥＴ,ＶＰ〈0.②VDS对沟道得控制作用当ＶGS=0时,VDＳ®ＩD.,G、D间PN结得反向电压增加，使靠近漏极处得耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。当VDS增加到使VGD=VＰ时，在紧靠漏极处出现预夹断。此时ＶDＳ®夹断区延长®沟道电阻。®IＤ基本不变.③VGS与VDS同时作用时当VP〈VＧS〈0时，导电沟道更容易夹断，对于同样得VDＳ，IＤ得值比VGS=0时得值要小。在预夹断处，VGD=VGＳ—VDS＝ＶP（或VDS=VＧS－VP)、综上分析可知l沟道中只有一种类型得多数载流子参与导电,所以场效应管也称为单极型HＹPEＲLＩNＫ”"\ｔ””三极管。lJFＥT栅极与沟道间得PＮ结就是反向偏置得，因此iG»０，输入电阻很高。lJＦＥT就是电压控制电流器件,iＤ受vGＳ控制.ｌ预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱与。