基本结构图2）JFET的基本工作原理VD=VDsat时，h2=a4、输出特性曲线与转移特性曲线5、MESFET2、JFET的直流参数、低频小信号交流参数最大饱和漏极电流IDSS栅极截止电流IGSS和栅源输入电阻RGS栅源击穿电压BVGS2）JFET的交流小信号参数饱和区跨导随栅压幅度减小而增大，当VGS=Vbi时达到最大值G0。跨导的单位是西门子S(1S＝1A/V)。器件的跨导与沟道的宽长比Z/L成正比，所以在设计器件时通常都是依靠调节沟道的宽长比来达到所需要的跨导值。由于存在着沟道长度调制效应，要得到好的饱和特性，L就不能无限制地减小，一般控制L为5至10mm左右。为了增大器件的跨导，往往采用多个单元器件并联的办法来扩大沟道宽度。对于同一个器件而言，跨导随栅电压VGS和漏电压VDS而变化，当VGS=0，VDS=VDsat时，跨导达最大值。P-Si漏极电导gD