基于S3C2410X处理器的硬件设计3.1基本电路设计3.1.1电源电路设计S3C2410X需要3.3V和1.8V两种供电电压，是由5V电源电压经LM1085-3.3V和AS1117-1.8V分别得到3.3V和1.8V的工作电压。开发板上的芯片多数使用了3.3V电压，而1.8V电压是供给S3C2410内核使用的。5V电压供给音频功放芯片、LCD、电机、硬盘、CAN总线等电路使用，具体如图3.1所示。图3.1系统电源电路RTC电路的电压是1.8V，实际是将电池电压或3.3V电压经过两个BAV99（等价于4个二极管串联）降压后得到的，如图3.2所示图3.2RTC电路的电压原理图3.1.2复位电路设计硬件复位电路由IMP811T构成，实现对电压的监控和手动复位操作。IMP811T的复位电平可以使CPUJTAG(nTRST)和板级系统(nRESET)全部复位，RESET反相后得到nRESET信号，如图3.3所示。图3.3系统的复位电路3.1.3晶振电路设计S3C2410X微处理器的主时钟可以由外部时钟源提供，也可以由外部振荡器提供，采用哪种方式通过引脚OM[3：2]来进行选择。·()M[3：2]=00时，MPLL和UPLL的时钟均选择外部振荡器。·()M[3：2l=01时，MPLL的时钟选择外部振荡器，UPLL选择外部时钟源。·()Ml3：2]=10时，MPLL的时钟选择外部时钟源，UPLL选择外部振荡器。·OM[3：2]=11时，MPLL和UPLL的时钟均选择外部时钟源。该系统中选择OM[3：2]均接地的方式，即采用外部振荡器提供系统时钟。外部振荡器由12MHz晶振和2个15pF的微调电容组成，如图3.4所示。图3.4晶振电路原理图图3.5所示的是S3C2410X应用系统所需的RTC时钟电路图，电路由12MHz晶振和2个15pF的电容组成，振荡电路的输出接到S3C2410X微处理器的XTIpll脚，输入由XTOpll提供。12MHz的晶振频率经S3C24IOX内部PLL电路的倍频后可达203MHz。图3.5系统时钟的选择3.2存储器系统设计在嵌入式应用系统中，通常使用3种存储器接口电路，即NorFlash接口、NandFlash接口和SDRAM接口电路。引导程序既可存储在NorFlash中，也可存储在NandFlash中。而SDRAM中存储的是执行中的程序和产生的数据。存储在NorFlash中的程序可直接执行，与在SDRAM执行相比速度较慢。存储在NandFlash中的程序，需要复制到RAM中去执行。3.2.18位存储器接口设计由于ARM微处理器的体系结构支持8位/16位/32位的存储器系统，相应地可以构建8位的存储器系统、16位的存储器系统或32位的存储器系统，在采用8位存储器构成8位/16位/32位酌存储器系统时，除数据总线的连接不同之处，其他的信号线的连接方法基本相同。1．构建8位的存储器系统采用8位存储器构成8位的存储器系统如图3.6所示。此时，在初始化程序中还必须通过BWSCON寄存器中的DWn设置为00，选择8位的总线方式。·存储器的nOE端接S3C2410X的nOE引脚。·存储器的nWE端接S3C2410X的nWE引脚。·存储器的nCE端接S3C2410X的nGCSn引脚。·存储器的地址总线[A15～A0]与S3C2410X的地址总线[ADDR15～ADDR0]相连。·存储器的8位数据总线[DQ7～DQ0]与S3C2410X的数据总线[DATA7～DATA0]相连。图3.68位存储器系统2．构建16位的存储器系统采用两片8位存储器芯片以并联方式可构成16位的存储器系统，如图3.7所示，此时，在初始化程序中将BWSCON寄存器中的DWn设置为01，选择16位的总线方式。·存储器的nOE端接S3C2410X的nOE引脚。·低8位的存储器的nWE端接S3C2410X的nWBE0引脚，高8位的存储器的nWE端接S3C2410X的nWBE1引脚。·存储器的nCE端接S3C2410X的nGCS0引脚。·存储器的地址总线[A15～A0]与S3C2410X的地址总线[ADDR16～ADDR1]相连。·低8位的存储器的8位数据总线[DQ7～DQ0]与S3C2410X的数据总线[DATA7～DATA0]相连，高8位的存储器的8位数据总线[DQ7～DQ0]与S3C2410X的数据总线[DATA15～DATA8]相连。图3.716位存储器系统3．构建32位的存储器系统采用四片8位存储器芯片以并联方式可构成32位的存储器系统，如图3.8所示，此时．在初始化程序中将BWSCON寄存器中的DWn设置为10，选择32位的总线方式。·存