垂直构型有机光敏场效应晶体管的研究的中期报告垂直构型有机光敏场效应晶体管（VOFET）是一种新型的光电器件，具有快速响应速度、高灵敏度和低功耗等优点，因此受到了广泛的关注。本次研究旨在探究VOFET的电学性质以及光敏特性，为进一步的应用提供基础研究支持。首先，在制备方法方面，我们通过溶液法制备了有机半导体薄膜，并采用热蒸发的方法制备了金属电极和聚合物绝缘层。然后，采用电学测试系统对VOFET器件进行测试，并研究了其在不同光照条件下的电学特性。其次，实验结果表明，VOFET器件在光照条件下的输出电流明显高于黑暗条件下，这表明VOFET具有良好的光敏特性。此外，我们通过分析输出电流与光照强度的关系发现，VOFET的光敏响应速度较快，在毫秒级别内可实现快速响应。最后，针对VOFET的光电特性，我们进一步分析了其在不同电压下的响应特性，发现其具有良好的线性响应特性，对不同光照强度能够快速、准确地做出响应，并且具有较低的功耗。总之，本次研究对VOFET器件的制备方法、电学特性以及光敏特性进行了深入的探究，为进一步应用提供了重要的基础研究支持。