垂直构型有机场效应晶体管的研究的中期报告.docx
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垂直构型有机场效应晶体管的研究的中期报告垂直构型有机场效应晶体管是一种新型有机半导体器件,具有高电流驱动能力、低漏电流和高速度等特点,可以被用于高频、高性能电子应用中。本文的中期报告旨在介绍垂直构型有机场效应晶体管的制备和性能测试结果。实验步骤:1.制备Si/SiO2/Si衬底。2.生长有机半导体薄膜,目标厚度50nm。3.制备Au源和栅极电极。4.利用微细加工技术,制备源、漏极和栅极电极结构。5.进行光刻、蒸镀和退火等处理。6.测量垂直构型有机场效应晶体管的性能。实验结果:1.制备出了符合要求的Si/SiO2/Si衬底。2.成功生长出了50nm厚的有机半导体薄膜。3.成功制备出了Au源和栅极电极。4.获得了良好的源、漏极和栅极电极结构。5.成功进行了光刻、蒸镀和退火等处理。6.测量结果表明,垂直构型有机场效应晶体管具有较高的饱和电流和迁移率,漏电流较低,品质较好。综上所述,我们成功制备了垂直构型有机场效应晶体管,并通过性能测试证明了其优越的性能。这为有机电子学领域的发展提供了新的机会和方向。