嵌入式系统硬件技术存储器得几个相关性能指数存储器设计目标设计目标实现依据存储器层次结构存储器层次结构图存储器层次结构得特性存储器层次结构几个基本概念存储器层次结构得性能10主存简介DRAM与SRAM主要差别3、1、1DRAM存储器DRAM得基本结构从DRAM到DDRIIIDRAM读数据时序人们发现通常数据就是连续读/写得,因此,改为FPMDRAM,送一次行地址后,将行地址锁存,只送列地址,每送一个列地址就读/写一个数据,直到该行得数据读完。从而提高了读/写速度。由于在列地址送出后到读出数据之间需要时间,而这个时间对于地址线而言就是空闲得,可以送出下一个列地址,因此开发了EDODRAM,利用类似于流水线得模式进一步提高了内存读/写速度。由于DRAM需要动态充电得特性使每次读数据后需要进行再次充电才能进行下次读,因此SDRAM采用了两个(或多个)Bank得方式进行交替数据操作,Bank0读数据时Bank1充电,下一周期Bank1读数据时Bank0充电,从而提高对外得数据交换能力。SDRAM得操作改为由外部时钟上升沿同步控制方式,以实现突发数据传送能力。突发数据传送可以实现接收一次列地址发送多个数据得能力。DDR(DoubleDataRate)SDRAM则采用了二倍预读取得技术,在每次得到一个地址时芯片内部读取两个数据,这两个数据分别在一个时钟得上升沿和下升沿传送出去,从而提高读/写速度。DDRIISDRAM采用了4倍预读取得技术,在每次得到一个地址时芯片内部读取4个数据,并将I/O端口得时钟频率提高为原来得两倍(内部操作时钟频率得两倍),并在一个时钟上升沿和下升沿各传送一个数据,从而进一步提高读/写速度。DDRIIISDRAM采用了8倍预读取得技术,在每次得到一个地址时芯片内部读取8个数据,并将I/O端口得时钟频率提高为原来得4倍(内部操作时钟频率得4倍),并在一个时钟上升沿和下升沿各传送一个数据,从而进一步提高读/写速度。SDRAM得特点26SDRAM中行地址宽度与列地址宽度常常就是不一样得,列地址通常只有9位,表示512个列,也就就是说给出一次行地址,最多能够读取512个字节(或字)。本例中行地址为212＝4K,列地址为29＝512Bank数由bs0,bs1(A12,A13)给出共22＝4,因此每片SDRAM容量为4K*512*4=8MB两片共8MB＊2=16MB3、1、2SRAM存储器课后练习3、2闪速存储器(Flash)FLASH工作原理3、2、1NORFLASH技术NORFLASH接口NORFLASH指令读数据只需要1个周期直接在地址总线送地址,可在数据总线读到数据写数据需要4个周期1–将0xAA写到FLASH地址0x5552–将0x55写到FLASH地址0x2AA3–将0xA0写到FLASH地址0x5554–将编程数据(BYTE)写到对应得编程地址上去整片擦除操作需要6个周期1–将0xAA写到FLASH地址0x5552–将0x55写到FLASH地址0x2AA3–将0x80写到FLASH地址0x5554–将0xAA写到FLASH地址0x5555–将0x55写到FLASH地址0x2AA6–将0x10写到FLASH地址0x555NORFlash接口示意图3、2、2NANDFlash技术基于NAND得存储器可以取代硬盘或其她块设备。目前量产得NANDFLASH已经可达64Gb。NANDFlash内部结构NANDFlash地址结构NANDFlash容量大,而且可常时间保存数据,因此可以用于替代硬盘作为外存使用。但由于坏块得存在,难以保证存储信息得安全,因此每个页都有16B得冗余信息用于描述当前块得状态,及逻辑块号,这样在上层文件系统中,就可以将其作为一个标准块设备使用。冗余字节得定义逻辑地址格式NANDFlash接口标准NANDFlash命令NANDFlash接口示意图NORFlash与NANDFlash比较3、2、3ANDFlash技术3、2、4常见存储卡标准SD(SecureDigitalCard)卡1999年由松下电器,东芝,SanDisk联合推出,大小32mm×24mm×2、1mm,可与MMC兼容。miniSD卡大小20mm×21、5mm×1、4mm,2005年SDA推出了MicroDSD卡标准,大小为11mm×15mm×1mm。记忆棒(MemoryStick)1999年由Sony公司推出,大小50mm×21、5mm×1、5mm,重4g,由于卡课后思考题3、3串口技术3、3、1RS232接口RS232接口信号RS232标准RS232常被称为UART(UniversalAsynchronousReceiver/Transimitter),其技术规格如下:1、数据传送速率