C注入、及C+Si和C+Mg共注n型GaN发光性质的研究的任务书任务目的：研究C注入、C+Si和C+Mg共注n型GaN的发光性质，探究其物理和结构特性，为GaN材料及相关器件的研究提供理论和实验基础依据。任务内容：1.通过化学气相沉积（CVD）方法制备C注入、C+Si和C+Mg共注n型GaN样品，并进行表征。2.研究样品的物理特性，包括其晶体结构、显微结构、电学性质等。3.测量样品的室温和低温发光光谱，分析样品的发光特性和缺陷性质。4.进行光电性能测试，评估样品的性能。5.对比不同注入方法对GaN样品发光性质的影响，探究其物理机制。任务要求：1.熟悉GaN材料的制备和表征方法，有较强的实验操作能力。2.具有相关领域研究背景和基础理论知识。3.熟练掌握光电性能测试方法，能够进行相关数据处理和分析。4.承担实验操作、数据处理和结果分析的任务，并及时撰写实验报告，准确记录实验数据和研究过程。5.具有团队合作精神，积极参与小组讨论和交流，共同解决问题。预期成果：1.获得不同注入方法对GaN物理、结构和发光特性的影响。2.发现C+Si和C+Mg共注n型GaN具有更好的发光性质，为GaN材料的研究提供新思路。3.提供实验和理论基础依据，为GaN材料的深入研究和应用提供支持。