p型金属诱导横向结晶多晶硅TFT直流应力下的退化研究的开题报告一、研究背景和意义近年来，随着显示技术的不断发展和广泛应用，薄膜晶体管（TFT）作为显示器中的关键元件，已经成为了研究的热点之一。目前，TFT主要有两类，即单晶硅TFT和多晶硅TFT。其中，多晶硅TFT由于其制备工艺简单，所需的加热温度较低，因此在工业上得到了广泛的应用。然而，多晶硅TFT在长时间工作的过程中会受到直流应力的影响，导致其性能的退化。因此，为了提高多晶硅TFT的长期性能，需要对其直流应力下的退化过程进行深入的研究。在多晶硅TFT中，p型金属诱导侧向结晶技术已经成为一种重要的制备方法。但是，在直流应力下，p型金属诱导横向结晶多晶硅TFT的退化行为仍然不清楚。因此，通过对p型金属诱导横向结晶多晶硅TFT直流应力下的退化进行研究，可以为该技术的进一步发展提供理论依据和指导。二、研究内容和方法1.研究内容（1）通过制备p型金属诱导横向结晶多晶硅TFT器件，在常温常压、直流电压下进行长期的电压加速热退化实验。（2）通过IV特性、C-V特性、子导电子显微镜等测试手段，详细研究p型金属诱导横向结晶多晶硅TFT器件在直流应力下的性能变化规律，探讨其退化机制。（3）通过不同的直流应力条件下的退化实验，研究退化程度与直流应力的关系，并建立相关的数学模型对实验结果进行分析和预测。2.研究方法（1）制备TFT器件：采用射频磁控溅射技术制备多晶硅薄膜，通过p型金属诱导侧向结晶技术制备p型金属诱导横向结晶多晶硅TFT器件。（2）测试手段：通过常规的电学测试手段，如IV特性测试、C-V特性测试等，分析器件的电性能；通过子导电子显微镜等测试手段，分析材料结构和表面形貌。（3）实验设计：设计不同的退化条件，如不同直流电压、不同退化时间等，通过长期的电压加速热退化实验，研究器件的退化行为。三、研究预期成果1.通过对多晶硅TFT直流应力下的退化研究，揭示p型金属诱导横向结晶多晶硅TFT器件的长期稳定性问题。2.多晶硅TFT器件的直流应力退化行为特点的研究，可为工业应用的使用提供一定的参考。3.可以建立多晶硅TFT器件的退化行为的数学模型，对该类器件的实际应用提供指导性意见和方案。