p型金属诱导横向结晶多晶硅TFT直流应力下的退化研究的任务书任务目标：本次研究旨在探究p型金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管在直流应力下的退化问题，并提出优化方案，以提高器件的可靠性和稳定性。任务内容：1.收集并分析近年来与该课题相关的文献资料，并对存在的问题进行总结梳理。2.设计并搭建实验平台，制备p型金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管试样，并进行退化实验。3.在退化过程中分别测量和分析器件的电学性能、光学性能和微观结构形貌的变化情况，并定量分析各参数之间的相关性。4.综合以上实验结果，提出优化方案，探索提高p型金属诱导横向结晶多晶硅TFT直流应力下的可靠性和稳定性的技术途径。5.撰写实验研究报告，总结实验过程中的操作经验和研究成果及其意义。任务要求：1.具备材料物理、物理化学、电子工程等相关学科的研究经验。2.熟练掌握器件制备、退化实验、电学性能测试、光学性能测试及微观结构分析等实验技术。3.具备较强的实验操作能力和数据分析能力，并能准确细致地记录实验记录和数据。4.具备较强的文献检索和阅读能力，并能根据不同文献资源的特点和优劣精准选择相关文献。5.具备优秀的科研写作能力，能够用科学的方式编写实验研究报告。6.本次研究需要具体实验条件，需充分考虑实验安全和经费限制，以确保实验顺利进行。参考时间安排：第1周：收集已有的文献资料，并研读已有的相关实验方法及数据处理方法。第2-3周：设计并搭建实验平台，并制备试样；第4-6周：进行器件退化实验，并测量各种性能指标。第7-8周：分析实验数据，提出优化方案；第9-10周：撰写实验报告。备注：以上时间排列仅供参考，实际时间可能会根据具体工作进度进行调整。