InN纳米线反常输运性质研究的中期报告本研究旨在探索氮化铟（InN）纳米线的反常输运特性。本报告为研究中期报告，总结了目前的研究进展和结果。首先，我们通过化学气相沉积法成功合成了InN纳米线。通过扫描电镜和透射电子显微镜的观察，我们发现InN纳米线的直径约为30-50纳米，长度几乎达到了5微米。此外，X射线衍射结果显示InN纳米线具有优良的晶体结构。接着，我们进行了电学测试，并发现InN纳米线的电阻率随温度的升高呈现负温度系数（NTC）效应。此现象可以通过Mott电阻模型、浅施主模型以及有机薄膜机理解释。我们也注意到，在高温下，电导率不再呈现NTC特性，而呈现出正常的电导行为。最后，我们进行了场效应晶体管测试，并观测到了反常的门电流（ID-VG）曲线。这也表明InN纳米线具有非常特殊的输运特性，可以作为新型电子器件的基础材料。总之，我们的研究结果表明InN纳米线具有反常输运特性，并有望在电子器件和传感器中发挥重要作用。未来我们将继续探索InN纳米线的物理特性和优化其应用性能。