GaN基高压LED的制备与热特性分析中期报告.docx
上传人:王子****青蛙 上传时间:2024-09-15 格式:DOCX 页数:1 大小:10KB 金币:10 举报 版权申诉
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GaN基高压LED的制备与热特性分析中期报告为了实现GaN基高压LED的制备,主要步骤包括GaN的外延生长、芯片制备、金属化及封装。其中,外延生长采用了金属有机化合物气相外延(MOCVD)方法,在低压下通过热解金属有机化合物进行生长。芯片制备过程中,主要进行了光刻、干法蚀刻、湿法蚀刻、腐蚀和退火等工艺步骤,形成了p-GaN、n-GaN、多量子阱结构和P型电极、N型电极等特征。金属化过程中,使用了蒸镀技术将金属电极沉积在样品表面。封装则是将芯片通过键合技术与基板连接,并采用封装材料对整个LED进行包裹。在热特性分析方面,主要从两个方面进行研究,包括热阻和热稳定性。热阻是指材料阻碍热量传输的程度。在LED电路中,热量传输的速度直接关系到LED的功率和寿命。因此,需要将热阻控制在一个较低的水平。热稳定性是指材料在高温下的稳定性和可靠性。在LED工作时,由于芯片内部发光二极管的不断发光,会产生较大的热量,严重的话可能会导致发光效率的下降或者芯片热损伤。因此,热稳定性是一个很重要的指标。目前,在热阻分析方面,我们主要采用了封装后的LED样品进行测试。首先通过有限元分析模拟LED发光区域的温度分布,然后通过测试测量芯片的温度,并根据测得的数据计算出芯片的热阻。预计结果将在后续的研究中进行分析和总结。在热稳定性方面,我们计划进行高温老化实验,通过在高温环境下对样品进行长时间测试,评估LED的热稳定性和可靠性。总的来说,GaN基高压LED的制备和热特性分析具有一定的难度,需要在多方面加强研究,同时也需要借助各种研究手段和工具,如有限元分析计算、瑞利散射法、高温老化等,以提高研究水平和研究成果。