GaN基LED中有源区的极化场调控的中期报告GaN基LED具有优异的性能，如高亮度、高稳定性和长寿命等，是目前最具有实用性的照明光源之一。其中，有源层是LED结构中最重要的一层，其性能对整个LED器件的性能有重要影响。而有源层中的极化场效应对于LED器件的电学性能和光学性能也有着重要的影响。目前，研究人员使用多种方法来调控GaN基LED中有源层中的极化场效应，其中最常用的方法是引入极化场相反的外界压力或电场。另外，一些研究还尝试将异质结加入到有源层中，以达到调控极化场效应的目的。在本中期报告中，我们主要介绍了一些已有的研究，重点讨论了这些研究的原理、方法和实验结果。我们发现，通过引入外界压力或电场可以减小或完全消除有源层中的极化场效应，从而提高LED器件的性能。同时，异质结的引入也可以有效地调控有源层中的极化场效应，但需要在制备过程中精确控制异质结的位置和厚度等参数。综上所述，通过调控有源层中的极化场效应，可以在GaN基LED器件中获得更高的性能和更长的寿命。但是，当前的研究还存在一些挑战和问题，如如何准确地控制外界压力或电场对有源层的作用、如何更好地将异质结结合到有源层中等，这些问题需要进一步研究和解决。