会计学光刻4，刻NMOS管硅栅，磷离子注入形成(xíngchéng)NMOS管光刻5，刻PMOS管硅栅，硼离子注入及推进(tuījìn)，形成PMOS管磷硅玻璃淀积光刻6，刻孔、磷硅玻璃淀积回流(huíliú)（图中有误，没刻出孔)蒸铝、光刻7，刻铝、光刻8，刻钝化(dùnhuà)孔（图中展示的是刻铝后的图形）离子注入的应用(yìngyòng)/N阱硅栅CMOS工艺流程(ɡōnɡyìliúchénɡ)形成N阱初始氧化(yǎnghuà)，形成缓冲层，淀积氮化硅层光刻1，定义出N阱反应离子刻蚀氮化硅层N阱离子注入，先注磷31P+，后注砷75As+形成P阱在N阱区生长厚氧化层，其它(qítā)区域被氮化硅层保护而不会被氧化去掉光刻胶及氮化硅层P阱离子注入，注硼推阱退火(tuìhuǒ)驱入，双阱深度约1.8μm去掉N阱区的氧化层形成场隔离区生长一层薄氧化层淀积一层氮化硅光刻2场隔离区，非隔离区被光刻胶保护起来(qǐlái)反应离子刻蚀氮化硅场区硼离子注入以防止场开启热生长厚的场氧化层去掉氮化硅层阈值电压调整(tiáozhěng)注入光刻3，VTP调整(tiáozhěng)注入光刻4，VTN调整(tiáozhěng)注入形成N管源漏区光刻6，利用(lìyòng)光刻胶将PMOS区保护起来离子注入磷或砷，形成N管源漏区形成P管源漏区光刻7，利用(lìyòng)光刻胶将NMOS区保护起来离子注入硼，形成P管源漏区形成(xíngchéng)第一层金属淀积金属钨(W)，形成(xíngchéng)钨塞合金形成(xíngchéng)钝化层在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅光刻11，钝化版刻蚀氮化硅，形成(xíngchéng)钝化图形测试、封装，完成集成电路的制造工艺CMOS集成电路采用(100)晶向的硅材料4)图解双阱硅栅CMOS制作(zhìzuò)流程首先进行表面清洗，去除wafer表面的保护层和杂质(zázhì)，三氧化二铝必须以高速粒子撞击，并用化学溶液进行清洗。然后在表面氧化二氧化硅膜以减小后一步(yībù)氮化硅对晶圆的表面应力。涂覆光阻(完整过程包括，甩胶→预烘→曝光→显影→后烘→腐蚀→去除光刻胶)。其中二氧化硅以氧化形成，氮化硅LPCVD沉积形成(以氨、硅烷、乙硅烷反应生成)。光刻技术去除不想要的部分，此步骤为定出P型阱区域。(所谓光刻胶就是对光(duìguāng)或电子束敏感且耐腐蚀能力强的材料，常用的光阻液有S1813,AZ5214等)。光刻胶的去除可以用臭氧烧除也可用专用剥离液。氮化硅用180℃的磷酸去除或含CF4气体的等离子刻蚀(RIE)。在P阱区域植入硼(+3)离子，因硅为+4价，所以形成空洞，呈正电荷状态。(离子植入时与法线成7度角，以防止发生沟道效应，即离子不与原子碰撞而直接打入)。每次离子植入后必须进行退火处理，以恢复晶格的完整性。(但高温也影响到已完成(wánchéng)工序所形成的格局)。LOCOS(localoxidationofsilicon)选择性氧化：湿法氧化二氧化硅层，因以氮化硅为掩模会出现鸟嘴现象，影响尺寸的控制。二氧化硅层在向上生成的同时也向下移动，为膜厚的0.44倍，所以在去除二氧化硅层后，出现表面台阶(táijiē)现象。湿法氧化快于干法氧化，因OH基在硅中的扩散速度高于O2。硅膜越厚所需时间越长。去除(qùchú)氮化硅和表面二氧化硅层。露出N型阱区域。(上述中曝光技术光罩与基片的距离分为接触式、接近式和投影式曝光三种，常用投影式又分为等比和微缩式。曝光会有清晰度和分辩率，所以考虑到所用光线及波长、基片表面平坦度、套刻精度、膨胀系数等)。感谢您的观看(guānkàn)！