长沙市重点中学2024届高三上学期月考（2）化学得分：_________本试题卷分选择题和非选择题两部分，．时量75分钟，满分100分．可能用到的相对原子质量：H～1Li～7C～12N～14O～16Na～23一、选择题（本题共14小题，每小题3分，共42分．在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的．）1．我国航天技术的进步离不开新技术和新材料的应用．下列说法正确的是（）A．飞船建造通常用镁、铝、钛等合金，合金的熔点一定比各成分金属低B．火箭使用碳纳米管可以减轻火箭质量，这种材料属于有机高分子材料C．飞船船体覆盖的耐高温陶瓷材料属于新型无机非金属材料D．太阳能电池翼伸展机构关键部件用到的SiC属于硅酸盐材料2．下列化学用语不正确的是（）A．中子数为2的氢核素：3HB．用电子式表示HO的形成过程：H+O+HH:O:H2C．基态铬原子的价电子排布式：3d44s²D．CO2的空间结构模型：33．下列说法正确的是（）A．向硫酸铜溶液中加入过量氨水，最终没有沉淀生成，说明反应前后Cu2浓度未改变B．将SOCl与AlCl6HO混合并加热，可制得无水AlCl2323C．酰胺在酸或碱存在并加热的条件下都可以发生水解反应且均有氨气逸出D．邻羟基苯甲醛的沸点比对羟基苯甲醛的沸点高4．布洛芬是一种常用于退烧镇痛的药物，合成路线如图所示．下列有关说法错误的是（）A．物质A中所有碳原子可能共平面B．物质B能使酸性高锰酸钾溶液褪色C．布洛芬能发生取代反应、加成反应、氧化反应D．布洛芬分子存在对映异构体5．下列反应的离子方程式正确的是（）A．向NaSO溶液中滴加稀HNO溶液：SO22HSOHO233322B．向CaHCO溶液中加入过量澄清石灰水：Ca22HCO2OHCaCO2HOCO2323323C．向100mL0.1mol/LFeBr溶液中通入224mLCl：2Fe22Br2Cl2Fe3Br4Cl2222D．常温下Cl通入NaOH溶液中转化为2种盐：2OHClClClOHO2226．1－溴丁烷是密度比水大、难溶于水的无色液体，常用作有机合成的烷基化试剂．将浓硫酸、NaBr固体、l－丁醇混合加热回流后，再经洗涤→干燥→蒸馏获得纯品．实验中涉及如下装置（部分夹持和加热装置省略）：下列说法错误的是（）A．加热回流时，浓硫酸的作用是作反应物、催化剂等B．气体吸收装置的作用是吸收HBr等有毒气体C．蒸馏装置中为了增强冷凝效果，可将直形冷凝管替换成球形冷凝管D．分液操作时，有机层从分液漏斗下口流出7．W、X、Y、Z、M五种短周期元素，原子序数依次增大．W元素的原子最外层电子数是次外层的3倍；X元素的原子核外s能级上的电子总数与p能级上的电子总数相等，且第一电离能都高于同周期相邻元素；Y元素是地壳中含量最多的金属元素；Z元素的单质可作半导体材料；M基态原子核外有9种不同空间运动状态的电子，且只有一个不成对电子．下列说法正确的是（）A．MW的键角比MW的键角大24B．第一电离能：W＞Z＞M＞X＞YC．原子半径：W＞X＞Y＞Z＞MD．ZW的熔点比ZM的熔点高248．氮化硅（SiN）薄膜是一种性能优良的重要介质材料，常用于集成电路制造中的介质绝缘．一种以硅块（主34要含Si，杂质为少量Fe、Cu的单质及化合物）为原料制备氮化硅的工艺流程如下：已知：ⅰ．硅的熔点是1420℃，高温下氧气及水蒸气能明显腐蚀氮化硅；ⅱ．氮化炉中反应为3Si(s)2N(g)SiN(s)ΔH727.5kJ/mol．234下列说法错误的是（）A．硅块粉碎能有效提高合成氮化硅的反应速率B．铜屑的作用是除去N中含有的少量O22C．“酸洗”中稀酸X可以选用氢氟酸D．合成过程中应严格控制N的流速以控制氮化炉中的温度29．某中学化学社进行沉淀溶解平衡相关实验，操作流程如下．下列说法正确的是（）已知：常温下，K(AgCl)1.81010，K(AgBr)5.41013，K(AgI)8.51017spspspA．悬浊液a中cBr与悬浊液d中cBr相等B．步骤③可以证明K(AgBr)K(AgI)spspC．向悬浊液e中滴加几滴0.1mol/LNaCl溶液，观察到黄色沉淀转化为白色沉淀cI8.5104D．向悬浊液d中加入少量NaI溶液，沉淀颜色不变时，cBr5.410．SOEC装置是一种高温固体氧化物电解池，可以从大气中回收CO，其工作温度为600～10