内存硬件知识汇总.doc
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为了保证所保存的数据不丢失,DRAM必须定时进行刷新,DDR3也不例外。为了最大的节省电力,DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计(ASR,AutomaticSelf-Refresh)。当开始ASR之后,将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率,因为刷新频率高的话,消电就大,温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下,尽量减少刷新频率,降低工作温度。不过DDR3的ASR是可选设计,并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能,因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围(SRT,Self-RefreshTemperature)。通过模式寄存器,可以选择两个温度范围,一个是普通的的温度范围(例如0℃至85℃),另一个是扩展温度范围,比如最高到95℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围,DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作。局部自刷新(RASR,PartialArraySelf-Refresh)这是DDR3的一个可选项,通过这一功能,DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank,而不是全部刷新,从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存(MobileDRAM)的设计很相似FBD、XDR、XDR2内存概述来自(http://www.dramx.com/)2009-07-141.FBD内存FBD即Fully-bufferDIMM(全缓存模组技术),它是一种串行传输技术,可以提升内存的容量和传输带宽.是Intel在DDR2、DDR3的基础上发展出来的一种新型内存模组与互联架构,既可以搭配现在的DDR2内存芯片,也可以搭配未来的DDR3内存芯片。FB-DIMM可以极大地提升系统内存带宽并且极大地增加内存最大容量。FB-DIMM与XDR相比较,虽然性能不及全新架构的XDR,但成本却比XDR要低廉得多。与现有的普通DDR2内存相比,FB-DIMM技术具有极大的优势:在内存频率相同的情况下目前能提供四倍于普通内存的带宽,并且能支持的最大内存容量也达到了普通内存的24倍,系统最大能支持192GB内存。FB-DIMM最大的特点就是采用已有的DDR2内存芯片(以后还将采用DDR3内存芯片),但它借助内存PCB上的一个缓冲芯片AMB(AdvancedMemoryBuffer,高级内存缓冲)将并行数据转换为串行数据流,并经由类似PCIExpress的点对点高速串行总线将数据传输给处理器。与普通的DIMM模块技术相比,FB-DIMM与内存控制器之间的数据与命令传输不再是传统设计的并行线路,而采用了类似于PCI-Express的串行接口多路并联的设计,以串行的方式进行数据传输。在这种新型架构中,每个DIMM上的缓冲区是互相串联的,之间是点对点的连接方式,数据会在经过第一个缓冲区后传向下一个缓冲区,这样,第一个缓冲区和内存控制器之间的连接阻抗就能始终保持稳定,从而有助于容量与频率的提升。2.XDR内存XDR就是“eXtremeDataRate”的缩写,这是Rambus的黄石的最终名称。XDR将Rambus之前公布了一系列新技术集中到了一起,新技术不仅带来了新的内存控制器设计和DRAM模块设计,同时可以工作在相当高的频率,带来让人难以置信的带宽。XDR内存比较有意思,这次架构同目前实际使用的DDR、DDRII并没有太大的差别,但XDR却依旧拥有自己的知识产权。XDR在今年年内会有样品出现,明年中后期正式推广,同原来一样三星依旧是RAMBUS的核心伙伴,另外东芝和Elpida也将出现。DDR和XDR之间最大的差别是就在内存控制器和实际内存芯片的接口上。这并不会让人感到奇怪,Rambus已经将自己定位成了一家“接口”公司,他们宣称中档的XDR内存也要比目前的DDR400内存快8倍,而最新款的XDR-II内存速度已达到DDR667的16——20倍。3.XDR2内存XDR2Micro-Threaded架构XDR2是Rambus推出的第二代高速内存技术,XDR2主要依靠降低内存回路干扰,再加入上一代XDR原有的FlexPhase和Micro-Threading内存架构等技术来提升效能。与此前的XDR的6.4GHz时钟频率相比,这种XDR2内存的性能再次攀升,使它能提供8GHz的时钟速度。XDR2内存拥有Micro-Threaded架构,这是它速度提升的一大动力。由于XDR2在设计之初就着眼于显卡应用领域,在这一技术领域上常用到的访问操作与在电脑上的主内存不大相同。因为显存经常会访问一些小容量的离散数据集合,所以就很有必要对这类应用进行优化。XDR2采用了Micro-Threaded架构,可以针对这一操作进行架构优化,Rambus把它称之为微线程架构。因为此前在RDRAM内存上只有两个数据通道结构,并且每个通道位宽只有8