第2章——模拟电子技术基础(第4版).ppt
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华成英hchya@tsinghua.edu.cn华成英hchya@tsinghua.edu.cn华成英hchya@tsinghua.edu.cn一、放大的概念UoUiUUo号频率较低和较高时电压放大倍数数值下降,并产生相移。华成英hchya@tsinghua.edu.cn一、电路的组成及各元件的作用VBB、Rb:使UBE>Uon,且有合适的IB。VCC:使UCE≥UBE,同时作为负载的能源。二、设置静态工作点的必要性在信号的整个周期内!华成英hchya@tsinghua.edu.cn两种实用放大电路:(1)直接耦合放大电路耦合电容的容量应足够华成英hchya@tsinghua.edu.cn华成英hchya@tsinghua.edu.cnVBB-UBEQICQIBQUCEQVCCICQRc二、图解法2.电压放大倍数的分析3.失真分析华成英hchya@tsinghua.edu.cnhchya@tsinghua.edu.cn三、等效电路法2.晶体管的h参数等效模型(交流等效模型)uBEiCrberbb'b'ebb'(1)ARcAu华成英hchya@tsinghua.edu.cnrbebb'(1)T讨论三:基本共射放大电路的静态分析和动态分析20μA讨论五:波形分析华成英hchya@tsinghua.edu.cn一、温度对静态工作点的影响二、静态工作点稳定的典型电路VCCRe的作用Au华成英hchya@tsinghua.edu.cnhchya@tsinghua.edu.cn华成英hchya@tsinghua.edu.cnVBBUBEQAuRiRbbe(1)ReRoVBBUBEQReUo华成英hchya@tsinghua.edu.cn接法电路如图,所有电容对交流信号均可视为短路。hchya@tsinghua.edu.cn华成英hchya@tsinghua.edu.cn1.结型场效应管符号栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用漏-源电压对漏极电流的影响华成英hchya@tsinghua.edu.cn华成英hchya@tsinghua.edu.cnuGS增大,反型层(导电沟道)将变厚变长。当反型层将两个N区相接时,形成导电沟道。华成英hchya@tsinghua.edu.cn增强型MOS管uDS对iD的影响耗尽型MOS管在uGS>0、uGS<0、uGS=0时均可导通,且与结型场效应管不同,由于SiO2绝缘层的存在,在uGS>0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。华成英hchya@tsinghua.edu.cnI华成英hchya@tsinghua.edu.cnVBBUGS(th))23.分压式偏置电路华成英hchya@tsinghua.edu.cnAuUoRo华成英hchya@tsinghua.edu.cniEiB1(11)(12)12华成英hchya@tsinghua.edu.cn华成英hchya@tsinghua.edu.cn华成英hchya@tsinghua.edu.cn