集成电路(jíchéng-diànlù)制造技术外延微电子学院微电子教学中心绪论(xùlùn)外延的分类①按工艺分类：气相外延（VPE）：硅的主要外延工艺；液相外延（LPE）：Ⅲ-Ⅴ化合物的外延；固相外延（SPE）：离子注入退火过程；分子束外延（MBE，MolecularBeamEpitaxy）②按材料(cáiliào)分类同质外延：外延层与衬底的材料(cáiliào)相同，如Si上外延Si，GaAs上外延GaAs；异质外延：外延层与衬底的材料(cáiliào)不相同，如Si上外延SiGe或SiGe上外延Si；蓝宝石上外延Si--SOS(SilicononSapphire)；蓝宝石上外延GaN、SiC。③按压力分类常压外延：100kPa；低压（减压）外延：5-20kPa。7.1硅气相外延(wàiyán)的基本原理外延(wàiyán)生长模型化学反应(huàxuéfǎnyìng)—H2还原SiCl4体系生长速率与温度(wēndù)的关系生长速率与反应(fǎnyìng)剂浓度的关系生长(shēngzhǎng)速率v与气体流速U的关系7.2外延层的杂质(zázhì)分布7.2外延(wàiyán)层的杂质分布扩散(kuòsàn)效应自掺杂效应(xiàoyìng)（非故意掺杂）选择性外延(wàiyán)（SEG）横向(hénɡxiànɡ)外延（ELO）7.6SOS及SOI技术(jìshù)SOS的不足(bùzú)SOI技术(jìshù)的特点与优势7.7分子(fēnzǐ)束外延（MBE）7.8缺陷(quēxiàn)及检测//层错机理：由于原子排列次序发生错乱而产生的缺陷；原因：衬底表面的损伤、玷污、残留的氧化物；外延温度过低、生长速度过高；掺杂剂不纯等。位置：衬底与外延层的界面处。影响：①导致杂质的异常扩散(kuòsàn)：引起杂质分布不均匀；②成为重金属杂质的淀积中心：引起p-n结的软击穿、低压击穿，甚至穿通。/层错法测量外延(wàiyán)层厚度图形漂移(piāoyí)和畸变图形(túxíng)漂移和畸变7.9外延(wàiyán)层电阻率的测量7.9外延(wàiyán)层电阻率的测量感谢您的观看(guānkàn)。