SiGeHBT的制作与测试分析的任务书任务书：1.研究SiGeHBT的制作过程和原理。2.研究SiGeHBT的工艺流程和制作技术，包括化学气相沉积（CVD）法和物理气相沉积（PVD）法等。3.研究SiGeHBT的结构特点和物理性质，探究SiGeHBT在高频应用中的优势和特点。4.分析SiGeHBT的测试方法和测试技术，包括器件测试和集成电路测试。5.搭建SiGeHBT器件测试系统，测试SiGeHBT的电学性能。6.分析测试结果，研究SiGeHBT的性能优化和应用领域，探讨半导体器件的进一步发展方向。参考文献：1.曹雷，郭小红，李琬玉等.SiGeHBT的提高性能措施[J].电子器件，2018，41（9）：49-50.2.赵平，李永红，胡猛等.SiGeHBT器件分析与设计[M].北京：科学出版社，2009.3.杨臻洲，纪仲华.高速半导体器件测试技术[M].北京：电子工业出版社，2015.4.张军，李建军，谢洪.SiGeHBT晶体管高频参数的测试分析[J].电子科技，2016，29（11）：22-25.