集成电路(jíchéng-diànlù)Chap04集成电路设计(shèjì)与制造的主要流程框架集成电路的设计过程(guòchéng)：设计创意+仿真验证集成电路(jíchéng-diànlù)芯片的显微照片集成电路的内部(nèibù)单元(俯视图)沟道(ɡōudào)长度为0.15微米的晶体管50mN沟道(ɡōudào)MOS晶体管CMOS集成电路(互补型MOS集成电路)：目前应用最为广泛(guǎngfàn)的一种集成电路，约占集成电路总数的95%以上。/集成电路(jíchéng-diànlù)制造工艺图形(túxíng)转换：光刻正胶：曝光(bàoguāng)后可溶负胶：曝光(bàoguāng)后不可溶图形(túxíng)转换：光刻三种(sānzhǒnɡ)光刻方式图形(túxíng)转换：光刻图形(túxíng)转换：刻蚀技术图形转换(zhuǎnhuàn)：刻蚀技术干法刻蚀杂质(zázhì)掺杂扩散杂质(zázhì)横向扩散示意图固态(gùtài)源扩散：如B2O3、P2O5、BN等利用(lìyòng)液态源进行扩散的装置示意图离子注入离子注入系统(xìtǒng)的原理示意图离子注入到无定形靶中的高斯分布情况(qíngkuàng)退火氧化(yǎnghuà)工艺氧化硅层的主要(zhǔyào)作用SiO2的制备(zhìbèi)方法进行(jìnxíng)干氧和湿氧氧化的氧化炉示意图化学(huàxué)汽相淀积(CVD)化学(huàxué)汽相淀积(CVD)APCVD反应器的结构(jiégòu)示意图LPCVD反应器的结构(jiégòu)示意图平行(píngxíng)板型PECVD反应器的结构示意图化学(huàxué)汽相淀积(CVD)化学(huàxué)汽相淀积(CVD)物理(wùlǐ)气相淀积(PVD)蒸发(zhēngfā)原理图集成电路(jíchéng-diànlù)工艺作业集成电路(jíchéng-diànlù)制造工艺北京大学CMOS集成电路制造(zhìzào)工艺P阱CMOS工艺(gōngyì)N阱CMOS工艺(gōngyì)双阱CMOS工艺(gōngyì)/形成(xíngchéng)N阱初始氧化淀积氮化硅层光刻1版，定义出N阱反应离子刻蚀氮化硅层N阱离子注入，注磷形成N管源漏区光刻，利用(lìyòng)光刻胶将PMOS区保护起来离子注入磷或砷，形成N管源漏区形成P管源漏区光刻，利用(lìyòng)光刻胶将NMOS区保护起来离子注入硼，形成P管源漏区双极集成电路制造(zhìzào)工艺/制作埋层初始氧化，热生长厚度约为500～1000nm的氧化层光刻1#版(埋层版)，利用反应离子刻蚀技术将光刻窗口中的氧化层刻蚀掉，并去掉光刻胶进行大剂量As+注入(zhùrù)并退火，形成n+埋层金属化淀积金属，一般是铝或Al-Si、Pt-Si合金等光刻6#版(连线(liánxiàn)版)，形成金属互连线(liánxiàn)合金：使Al与接触孔中的硅形成良好的欧姆接触，一般是在450℃、N2-H2气氛下处理20～30分钟形成钝化层在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅光刻7#版(钝化版)刻蚀氮化硅，形成钝化图形隔离(gélí)技术PN结隔离工艺绝缘(juéyuán)介质隔离工艺LOCOS隔离工艺LOCOS隔离工艺沟槽(ɡōucáo)隔离工艺接触(jiēchù)与互连几个概念(gàiniàn)场区有源区栅结构材料Al-二氧化硅结构多晶硅-二氧化硅结构难熔金属硅化物/多晶硅-二氧化硅结构Salicide工艺淀积多晶硅、刻蚀并形成侧壁氧化(yǎnghuà)层；淀积Ti或Co等难熔金属RTP并选择腐蚀侧壁氧化(yǎnghuà)层上的金属；最后形成Salicide结构集成电路(jíchéng-diànlù)封装工艺流程各种(ɡèzhǒnɡ)封装类型示意图集成电路工艺(gōngyì)小结集成电路(jíchéng-diànlù)工艺小结集成电路工艺(gōngyì)小结作业感谢您的观看(guānkàn)。