m面InGaNGaN非极性LED的研制的中期报告近年来，非极性LED技术在高效照明领域得到了广泛应用。本文旨在介绍正在进行的一项面向非极性LED研发的项目的中期报告。该项目使用InGaN/GaN多层膜生长技术，通过制备非极性InGaN/GaN量子井结构，研究非极性LED器件的光电性能和结构特征，并探究不同生长性质和结构参数对非极性LED性能的影响。在中期研究中，我们已成功制备并优化了非极性InGaN/GaN量子井结构，并进行了器件设计和制备。通过表征和测试，发现在In0.2Ga0.8NLED样品中，其发光强度较传统的极性InGaNLED提高了62%。同时，在In0.15Ga0.85NLED样品中，也发现了类似的增强效应。经过理论模拟和实验验证，发现这种性能提升是由非极性器件的内部电场消除和载流子的均衡分布所致。另外，我们还探究了不同生长条件对非极性LED性能的影响。发现在较高的外延生长温度下，InGaN量子井结构具有更优异的光电性能，而在较低的生长温度下，则更易于形成高晶质质量的非极性InGaN/GaN量子井结构。综上所述，非极性LED技术在高效照明领域具有广泛应用前景。本项目研发了一种InGaN/GaN非极性LED器件，并探究了其最优生长条件和结构参数。此项研究结果可为非极性LED器件的设计和制备提供理论依据和实验基础。