m面InGaNGaN非极性LED的研制的开题报告1.研究背景和意义近年来，LED技术迅速发展，不仅在照明、显示等领域有着广泛应用，而且在光电子通信、生物医学等领域也有着很大的前景。而InGaNGaN非极性LED则是目前研究的热点之一。非极性LED是指生长在GaN晶体上没有明显的极性，在制造过程中可以减少晶格缺陷，提高光电转换效率，同时也可以降低制造成本。因此，研究InGaNGaN非极性LED的开发具有重要的科学意义和商业价值。2.研究现状和问题目前，InGaNGaN非极性LED的研究还比较初步，相关文献资料相对较少。主要存在以下问题：(1)现有的生长技术还无法实现高质量的非极性生长。(2)由于材料固有的缺陷，光电转换效率较低。(3)其中InGaN材料的组分控制和材料质量的提高问题。(4)其它固有材料的缺陷，如较低的外量子效率或内量子效率等等。3.研究内容和方法本研究的主要内容为InGaNGaN非极性LED生长与性能研究。具体研究如下：(1)优化非极性LED生长工艺，实现高质量的非极性生长。(2)通过对生长薄膜的结构和表面形貌等方面的分析，寻找提高光电转换效率的方法。(3)对InGaN材料的组分控制和提高材料质量进行研究，并优化LED器件结构。(4)对固有材料的缺陷问题进行深入研究，提高LED器件的外量子效率和内量子效率等等。(5)采用本征量子点技术优化光子晶体增强LED的性能。研究方法主要包括：生长薄膜的制备和表征、半导体器件物理性质的研究、器件性能测试、结论分析等方法。4.预期结果和意义本研究的预期结果如下：(1)生长出高质量的非极性LED，降低制造成本。(2)提高光电转换效率，提高器件综合性能。(3)实现对InGaN材料的精确控制，提高材料质量。(4)具有较高的外量子效率和内量子效率。本研究的意义在于为非极性LED技术的发展提供了基础性研究，推动非极性LED在不同领域的应用。同时也为提高我国光电产业的核心竞争力提供技术支持。