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集成电路制造工艺(gōngyì)及设备●离子注入可以通过分别调节注入离子的能量、数量,精确地控制掺杂的深度和浓度,所以可以制备理想(lǐxiǎng)的杂质分布。图形(túxíng)转移工艺正胶特殊(tèshū)的光刻工艺膜的工艺(gōngyì)要求Si3N4作为(zuòwéi)硅芯片的保护膜关于(guānyú)考试感谢您的观看(guānkàn)。