集成电路(jíchéng-diànlù)工艺原理33.1引言(yǐnyán)3.1引言(yǐnyán)3.1引言(yǐnyán)3.1引言(yǐnyán)3.1引言(yǐnyán)3.1引言(yǐnyán)3.1引言(yǐnyán)3.1引言(yǐnyán)3.1引言(yǐnyán)3.1引言(yǐnyán)3.1引言(yǐnyán)3.2热扩散微观(wēiguān)机构和宏观描述3.2热扩散微观(wēiguān)机构和宏观描述间隙(jiànxì)式扩散间隙(jiànxì)式扩散3.2热扩散微观(wēiguān)机构和宏观描述间隙(jiànxì)式扩散间隙(jiànxì)式扩散间隙(jiànxì)式扩散的扩散系数替位式扩散(kuòsàn)替位式扩散(kuòsàn)替位式扩散(kuòsàn)替位扩散的跳跃(tiàoyuè)率替位式扩散(kuòsàn)的扩散(kuòsàn)系数增强(zēngqiáng)扩散增强(zēngqiáng)扩散热扩散层中的杂质(zázhì)分布：扩散方程热扩散层中的杂质(zázhì)分布：扩散方程热扩散层中的杂质分布(fēnbù)：扩散方程恒定表面源扩散(kuòsàn)分布恒定(héngdìng)表面源扩散分布恒定表面源扩散(kuòsàn)分布恒定(héngdìng)表面源扩散分布恒定表面(biǎomiàn)源扩散：结深的计算恒定(héngdìng)表面源扩散：原子总量和浓度梯度计算恒定表面(biǎomiàn)源扩散：扩散流密度计算有限(yǒuxiàn)表面源扩散有限表面(biǎomiàn)源扩散有限(yǒuxiàn)表面源扩散随着扩散时间的加长，虽然进入半导体的杂质总量Q不变，但扩散深度却不断(bùduàn)增大，而且表面浓度也不断(bùduàn)下降。可算t↑，Ns限为多少(duōshǎo)有限(yǒuxiàn)表面源扩散两步扩散(kuòsàn)法3.2热扩散微观(wēiguān)机构和宏观描述3.2热扩散微观机构和宏观(hóngguān)描述3.2热扩散微观机构和宏观(hóngguān)描述3.3扩散(kuòsàn)层的质量参数与扩散(kuòsàn)方法选择3.3扩散层的质量(zhìliàng)参数与扩散方法选择3.3扩散层的质量(zhìliàng)参数与扩散方法选择3.3扩散(kuòsàn)层的质量参数与扩散(kuòsàn)方法选择3.3扩散层的质量参数(cānshù)与扩散方法选择3.3扩散(kuòsàn)层的质量参数与扩散(kuòsàn)方法选择3.3扩散(kuòsàn)层的质量参数与扩散(kuòsàn)方法选择3.3扩散(kuòsàn)层的质量参数与扩散(kuòsàn)方法选择3.3扩散(kuòsàn)层的质量参数与扩散(kuòsàn)方法选择3.3扩散层的质量参数(cānshù)与扩散方法选择3.3扩散层的质量(zhìliàng)参数与扩散方法选择3.3扩散层的质量参数与扩散方法(fāngfǎ)选择3.3扩散层的质量参数与扩散方法(fāngfǎ)选择3.3扩散层的质量参数与扩散方法(fāngfǎ)选择3.3扩散层的质量参数(cānshù)与扩散方法选择3.3扩散层的质量参数(cānshù)与扩散方法选择3.3扩散层的质量参数(cānshù)与扩散方法选择3.3扩散(kuòsàn)层的质量参数与扩散(kuòsàn)方法选择3.3扩散层的质量参数与扩散方法(fāngfǎ)选择3.3扩散层的质量参数与扩散方法(fāngfǎ)选择3.3扩散层的质量(zhìliàng)参数与扩散方法选择3.3扩散(kuòsàn)层的质量参数与扩散(kuòsàn)方法选择3.3扩散(kuòsàn)层的质量参数与扩散(kuòsàn)方法选择3.3扩散层的质量(zhìliàng)参数与扩散方法选择3.3扩散层的质量参数(cānshù)与扩散方法选择3.4影响扩散杂质分布(fēnbù)的其他因素在硅平面工艺中，往往扩散后需要进行高温氧化，而且再扩散过程本身往往也就是高温氧化过程。实践表明，这种高温氧化过程对硅片表面附近处的杂质浓度分布有很大影响。例如，硅中硼扩散的高斯分布层，在高温氧化后，表面处的硼浓度有明显降低。造成这种杂质浓度变化的原因显然是由于高温氧化时杂质在硅与SiO2之间发生(fāshēng)了重新分配的结果。3.4影响(yǐngxiǎng)扩散杂质分布的其他因素3.4影响扩散杂质分布的其他(qítā)因素3.4影响扩散杂质分布(fēnbù)的其他因素由此可以(kěyǐ)想见，对在SiO2中扩散较慢(与在硅中的扩散比较)的杂质(如硼、磷、砷、锑)，决定硅表面附近浓度变化趋势的因素将主要是分凝系数m的大小。这时，对m＜1的情况(例如硼)，杂质再分布后的结果是硅表面处浓度降低，而对m＞1的情况(如P、As、S