厦新A8A6型手机工作原理与故障维修ၳ੽৔ᔫ၀!厦新GSM手机A8A6主要的芯片采用美国德州仪器生产的移动通讯组件芯片组在目前的各种手机方案中TI在数据处理DSP方面具有一定的优势其中中频IC型号为TRFQ053配合本振IC(RF2253)是射频部分最主要的构件这一设计被后来许多国产手机借用电源与音频集成一块芯片内(TWL3011)再给单片机部分CPU(HERCROM-LLYSSE-UBGAl79)是逻辑部分最主要的构件这一设计早些时候曾见于台湾某些公司如摩托罗拉等公司开发移动通讯终端产品中该方案与我们目前采用的其他方案如朗讯的方案相比还具有更高的集成度因为其将电源管理功能整合到芯片组中而且存储器选用将FLASHRAM和SRAM集成封装到一个IC中的MCP的形式基带芯片组均采用小体积的BGA封装其他的贴片阻容电感等器件均尽量采用0402封装的小体积器件这样可以使手机做得更小巧我们来介绍一下该方案的主要芯片的大体功能首先说一下它的基带芯片组基带芯片组由U500ULYSSE和U501OMEGA加上MCP构成的ULYSSE内部包含一个M16L80DSP用于数据处理一个ARM7TDMIE32/16位精简指令RSIC处理器微控制器包含有16优先级级的中断控制器可以按照接受来自内部和外部的各类中断一个内置的2Mbit的RAM一个时钟方波发生器输入13MHz信号后可以使处理器工作速度在39104MHz触发电平为低电平或下降沿触发SIM卡接口和其他齐全的各类I/O接口该芯片可以很好地支持ETSI的GSMlayer1,2,3协议底层应用层网络层MEGA是一个包含完整基带处理功能的芯片可以进行单通道和多通道GMSK正交信号I,Q信号的调制和解调语音信号处理则包含通话音量控制侧音信号的产生等射频控制电源管理SIM卡电平转换电路充电控制等等它与ULYSSE配合构成GSM的核心存储器芯片由32M的FLASH和4M的SRAM组成而成本方案采用富士通或东芝相同类型的MCP该MCP是将4M的SRAM晶片直接叠放在32MFLASH上面再做封装这样不仅可以将两芯片的连接线直接在芯片内部连接从而省去在PCB上的部分连接线而且做成一个封装还可以节省空间该技术要求较高的封装技术对整机的可靠性没有影响而且便于手机的小型化设计射频控制芯片采用TI的低功耗TRF6053射频芯片发送通路包含发送混频器以及正交调制器低通滤波器电路可编程控制的供电电路等接收电路包含低噪声放大器LNA混频器相位检测电路I/Q正交信号解调器带AGC的数控中频放大器缓冲放大器完整的低通滤波器以及补偿电路等等配合双频锁相环控制集成电路SI4133VCOPA13MHzTCXO滤波器以及其他的相关电路构成系统电路的射频部分功放使用的是日本日立功放(08122B)这种功放在三星机中较常见如三星A288三星N288三星TN628三星T108等机形铃声的产生有赖于16和弦音乐ICY759此IC是由日本名的雅马哈(YANAHA)生产的这种IC自带存储器可存储MA2格式的音乐铃声程序显示板通过24针的排线连接显示板上有七色灯振铃听筒振子等其中显示屏为双屏主显示屏33mmx37mm小显示屏25xmmxl9mm振子采用圆柱形振动马达听筒为大功率扬声器另外后备电子磁铁也安装在显示板上逻辑时钟采用13MHz由一个石英晶体产生一路供射频部分频率合成器使用一路由13MHz放大后送逻辑部分32.768KHz提供睡眠时钟存储器为日本产84VD22182射频供电管如LS28(五脚稳压管)射频部分一中频频率为282MHz逻辑部分供电主要由电源IC提供VRl-2.85VVR2B2.85VVR32.85V一逻辑部分1ULYSSE中央处理芯片U500ULYSSE是一个执行GSM手机基带部分的数字处理芯片它包括以下部分一个可编程可存储的DSP单元M16L80用于数据处理一个ARM7微控制器带2M内存一个中断控制器可以接受来自内部和外部的各类中断信号一个时钟方波发生器输入13MHz信号后可以使处理器工作速度在39~104MHz一个包括SIM接口在内的各类I/O接口与ULYSSE内部功能相关的外围接口有与外部RAMFLASH通信使用的ARM记忆接口Memoryinterface键盘扫描接口keypdinterfaceGSM实时时序端口Timeserialport用于控制射频工作时序电源管理端口Powermanegement用于控制射频供电LCD和EEPROM的排线接口Mwireinterface普通I/O口GenerieI/O用于一些外部设备如耳机的检测MCSI接口用于背光振动蜂鸣器等的控制编程用通信端口Serialinterfac