华中科技大学电子科学与技术系电子器件制备工艺课程设计(论文)固相法制备压敏电阻(ZnO)班级:电子1307学号:U201314003姓名:仲世豪专业:电子科学与技术指导老师:邱亚琴二零一五年摘要本文以金属离子盐为原料,采用400r/min转速球磨机球磨成掺杂ZnO前驱物,将其在700℃下预烧2小时,得到掺杂ZnO粉体,并用此粉体制备了片式ZnO压敏电阻。借助压敏电阻特性测量仪对片式压敏电阻得正、反向压敏电压,正、反向非线性系数,正、反向漏电流等进行了测量。研究了不同掺杂浓度对ZnO压敏电阻电性能得影响。结果表明,金属掺杂在百分之零点八时,ZnO压敏得电阻得各项性能达到最佳。关键词:掺杂ZnO粉体;烧结温度;压敏电阻AbstractInthispaper,byusingmetalionsaltsasrawmaterials,whichwasmilledat400r/minspeed,dopingintoZnOprecursor,thencalcinedfor2hoursat700℃,togetdopedZnOpowder、AndthepowderwasatlastusedtoproducechipZnOvaristors、Withthevaristorcharacteristicmeasurementinstrument,thepositiveandnegativevaristorvoltage,positiveandnegativenonlinearcoefficient,forwardandreverseleakagecurrentweremeasured、WestudiedtheeffectofdopedZnOpowderontheelectricalpropertiesofZnOvaristors、Theresultsshowedthatwhenthedopingcontentis0、8％,thepropertiesofZnOvaristorcanbethebest、Keywords:dopedZnOpowder;sinteringtemperature;varistor目录TOC\o"13"\h\z\uHYPERLINK\l"_Toc214816193"摘要PAGEREF_Toc214816193\h2HYPERLINK\l"_Toc214816194"AbstractPAGEREF_Toc214816194\h2HYPERLINK\l"_Toc214816195"第1章绪论PAGEREF_Toc214816195\h48HYPERLINK\l"_Toc214816196"1、1概述及发展现状PAGEREF_Toc214816196\h45HYPERLINK\l"_Toc214816197"1、2理论依据及本论文得主要方法PAGEREF_Toc214816197\h58HYPERLINK\l"_Toc214816200"第2章实验部分89HYPERLINK\l"_Toc214816201"2、1实验工艺与过程89HYPERLINK\l"_Toc214816202"2、1、1称量PAGEREF_Toc214816202\h8HYPERLINK\l"_Toc214816202"2、1、2球磨、烘干过筛、预烧PAGEREF_Toc214816202\h8HYPERLINK\l"_Toc214816202"2、1、3球磨、烘干、粉碎造粒PAGEREF_Toc214816202\h9HYPERLINK\l"_Toc214816202"2、1、4压片、烧结PAGEREF_Toc214816202\h9HYPERLINK\l"_Toc214816202"2、1、5涂电极、烧电极、测试PAGEREF_Toc214816202\h9HYPERLINK\l"_Toc214816200"第3章结果与讨论PAGEREF_Toc214816200\h1015HYPERLINK\l"_Toc214816201"3、1实验数据记录与处理PAGEREF_Toc214816201\h1015HYPERLINK\l"_Toc214816200"第4章建议与体会PAGEREF_Toc214816200\h1516HYPERLINK\l"_Toc214816208"参考文献PAGEREF_Toc214816208\h17第1章绪论1、1概述及发展现状自1968年日本松下电器公司首