AlGaNGaNHEMT电流崩塌的实验研究的中期报告AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在高功率和高频率应用方面具有广泛的应用前景。然而，由于极性反转界面的存在，AlGaN/GaNHEMT存在电流崩塌现象，这直接限制了器件的功率和可靠性。因此，本研究旨在对AlGaN/GaNHEMT的电流崩塌现象进行深入的实验研究，以提高器件的电流崩塌抗性。在前期研究的基础上，我们系统地研究了AlGaN/GaNHEMT的电流崩塌现象。通过对同一器件进行多次恒流测试，我们观察到了电流崩塌的缓慢逐渐增强的趋势。在一定程度上，这个现象可能与应力积累有关。因此，在接下来的实验中，我们重点研究了AlGaN/GaNHEMT的应力和电流崩塌之间的关系。我们设计了两组不同应力水平的实验，即低应力和高应力实验组。在低应力实验中，我们将器件固定在一个恒温器上，温度为25°C，并施加一个较低的应力，然后对其进行恒流测试。在高应力实验中，我们将器件暴露在高温(150°C)和高电压(30V)的环境中，在此条件下进行恒流测试。通过实验结果的分析，我们发现高应力实验组中表现出更严重的电流崩塌，即电流下降速度更快且下降幅度更大。这表明应力确实对AlGaN/GaNHEMT的电流崩塌有影响。此外，在不同应力实验中观察到了应力的不均匀分布，这可能是由于器件发生了变形所致。总之，我们的实验结果最后表明，应力是引起AlGaN/GaNHEMT电流崩塌的主要因素之一。我们将继续深入研究AlGaN/GaNHEMT电流崩塌的机理，以帮助引导更有效的应力管理以提高器件的可靠性。