低压IZO基氧化物薄膜晶体管的研究的中期报告目前，我们已经完成了低压IZO基氧化物薄膜晶体管的制备和性能测试，并取得了一些初步的结果。首先，我们使用射频磁控溅射技术在玻璃基板上制备了不同厚度的IZO基底层，并在其上沉积了氧化铟镓锌（IGZO）薄膜。通过X射线衍射和扫描电子显微镜的分析，我们确认了制备的IGZO薄膜具有良好的结晶性和表面平整度。接着，我们使用光刻和湿法刻蚀工艺将IGZO薄膜上的源、漏电极和门极区域进行了定义，并在其上制备了与源漏电极相对应的接触口。我们使用Keithley4200半导体测试系统在室温下测试了不同尺寸的晶体管的电学特性。我们发现，所制备的晶体管具有良好的电学性能，包括低阈值电压、高迁移率和低次阈值摆幅。此外，我们还通过分析电压-电流（V-I）曲线和提取顺序-激活能（S-A）曲线确定了晶体管的非理想特性。总体来说，我们的研究表明，使用射频磁控溅射在玻璃基板上制备低压IZO基氧化物薄膜晶体管的方法是可行的，并且可以得出良好的电学性能。我们将继续优化制备工艺和进一步研究晶体管的性能，以实现更高的性能和更广泛的应用。