11、下图的MOS晶体管各是什么类型，标明每个MOS晶体管的栅、源、漏极，分析它们的工作状态，设所有晶体管的阈值电压的绝对值都是1V。(a)增强型NMOSFET，工作于线性区。(b)增强型NMOSFET，工作于饱和区。(c)耗尽型NMOSFET，工作于饱和区。(d)增强型PMOSFET，工作于线性区。2、如图2所示，M1和M2两管串联，且VB<VG-VT<VA，(M1、M2的阈值电压相等)1)若都是NMOS，它们各工作在什么状态?2)若都是PMOS，它们各工作在什么状态?3)证明两管串联的等效导电因子是Keff=K1K2/(K1+K2)。3)以NMOS管串联为例，由VB<VG-VT<VA得出等效管工作于饱和区3、图3所示晶体管网络中，设电源电压5V，器件阈值绝对值1V，写出输出端电平(可以假设输出端的初始电平为2.5V)。a)两管均导通，且传输低电平，输出为0V。b）分两种情况：若Vm<1V,左边PMOS管截止，右边PMOS管导通，将输出节点电平下拉，直至Vout比Vm高1V，最终输出结果为(Vm+1)V.若Vm>1V,两个PMOS管均导通，直至Vm下拉为1V，Vout比Vm高1V，即2V，最终输出结果2V.c）分两种情况：若Vm<1V,左边PMOS管截止，右边NMOS管导通，中间节点与输出节点进行电荷重分配。得到新的Vm节点值为Vnew=(Vm*Cm+Vout*Cout)/(Cm+Cout)。(其中Vm、Vout分别为原中间节点和输出节点的电压值，Cm和Cout分别为中间节点和输出节点电容)若Vnew<1V，若不考虑泄漏电流，则最终输出为Vnew。若Vnew>1V，则左边的PMOS导通，会将中间节点电平下拉至1V，最终输出为1V。若Vm>1V,左边PMOS管导通，直至Vm下拉为1V，Vout和Vm同高为1V.d）PMOS管导通，传输高电平，中间节点达到5V。NMOS管传输高电平，有阈值损失，最终输出电平为4V。