IC封装中的寄生参数的研究的中期报告近年来，随着微电子技术的快速发展，IC封装技术得到了广泛应用，寄生参数成为研究的重点之一。在IC封装中，由于各种因素的影响，如电阻、电容、电感等，可能会产生一些不希望出现的效应。这些效应称为寄生效应。寄生参数的分析和建模是解决这些效应的关键。本文介绍了IC封装中寄生参数的研究现状和发展趋势，并重点阐述了中低频范围内的电感和电容寄生参数的测量方法。首先，介绍了IC封装中常见的寄生效应和各种因素对寄生效应的影响，例如引脚、衬底、封装结构等。同时，还介绍了目前常用的寄生参数建模方法，如传输线方法、有限元分析等。接着，重点阐述了中低频范围内电感和电容寄生参数的测量方法。对于电感，可以采用串联谐振和并联谐振的方法进行测量，同时介绍了电感的建模方法。对于电容，则可以采用电桥或LCR表进行测量，并介绍了电容的建模方法。最后，对于未来的研究方向和发展趋势进行了展望。同时，指出了当前研究还存在的问题和挑战，例如寄生参数建模的准确性、高频寄生参数的测量和建模等。总的来说，IC封装中寄生参数的研究对于提升芯片性能和降低生产成本具有重要意义。未来，随着微电子技术的不断发展，寄生参数的研究将成为IC封装领域的热点之一。