BiIn，SnIn双金属薄膜受体材料的无掩模光刻研究的中期报告该研究探索了用于制备BiIn和SnIn双金属薄膜受体材料的无掩模光刻技术。通过使用可见光激光器和负型光刻胶SU-8，实现了具有高分辨率和高几何复杂性的结构的制备。经过优化的光刻流程，可以在负型光刻胶上制备出1μm的线宽和4μm的间距。此外，还通过调整光刻胶的浓度和曝光时间，优化了光刻胶的附着性和显影性能。在光刻胶的基础上，可以使用化学蚀刻的方法制备出BiIn和SnIn双金属薄膜受体材料。在反应中，Bi和Sn离子会在光刻胶的孔洞中沉积形成薄膜。使用扫描电子显微镜（SEM）表征了薄膜的形貌和厚度，结果表明薄膜具有光滑的表面和均匀的厚度。此外，也研究了制备过程中的影响因素，包括化学蚀刻时间、反应温度和光刻胶的厚度等。本研究还对BiIn和SnIn双金属薄膜受体材料进行了光学特性的研究。通过使用测试光束和相干探针束，研究了材料的光学吸收特性和折射率。结果显示，材料对波长为700nm的光线的吸收率可达到70%，而折射率在可见光范围内随波长的增加而增加。总之，本研究表明，无掩模光刻技术是制备BiIn和SnIn双金属薄膜受体材料的有效方法，同时也为研究这些材料的光学特性和应用开辟了道路。