CVDZnS的热等静压工艺及性能研究的中期报告本中期报告主要介绍了CVDZnS热等静压工艺及性能研究的中期进展情况。首先，我们成功地制备了高质量的CVDZnS晶体样品。通过优化CVD工艺参数，包括气相成分、反应温度、反应时间等，我们得到了尺寸为10mm×10mm×1mm的CVDZnS晶体。X射线衍射和扫描电子显微镜分析表明，样品具有高度取向性、表面光洁度好等优良性能。其次，我们对制备的CVDZnS样品进行了热等静压处理。通过实验研究发现，在热等静压过程中，对于CVDZnS晶体样品而言，温度和压力都是影响其性能的重要因素。在温度为600℃、压力为5GPa时，我们得到了致密的CVDZnS晶体样品。样品的密度、硬度和抗压强度等性能均得到了显著提高。最后，我们对致密的CVDZnS晶体样品进行了光学性能测试。测试结果表明，致密的CVDZnS晶体样品具有优良的近红外透过性能和较高的荧光量子产率。这为其在太阳能电池和白光发光器件等领域的应用提供了潜在的可能性。综上所述，我们成功地制备了高质量的CVDZnS晶体样品，并通过热等静压处理提高了其密度和物理性能。接下来，我们将进一步研究其光学性能，以更好地探究其在光电领域的应用前景。