逻辑(luójí)门电路tang2.1.1二极管的开关(kāiguān)特性2．二极管的开关时间3．PN结的存储(cúnchǔ)电荷2.1.2三极管的开关(kāiguān)作用特性在数字电路中，逻辑输入信号通常使三极管工作在截止(jiézhǐ)或饱和状态，称为开关状态。/2．三极管的开关时间O三极管的开关时间一般为ns数量级，并且(bìngqiě)toff＞ton、ts＞tf。基区存储电荷是影响三极管开关速度的主要因素。2.2TTL门电路2.2.1TTL非门(fēimén)的工作原理2.2.1TTL非门(fēimén)的工作原理2.2.2TTL非门(fēimén)的特性线性区bc段:0.5V＜vI＜1.1V。T1饱和(bǎohé)，0.6V<VC1=+VCES1<1.2V,T2处于放大状态，T5仍然截止，T3和T4仍然是射极输出器，vo随vI线性减少，斜率为T2级的放大倍数：转折区cd段：1.2V＜vI＜1.3V。T1饱和(bǎohé)，1.3V<VC1=vI+VCES1<1.4V,T5由截止进入放大状态,T2、T3和T4的状态同前。由于T5集电极的等效电阻减小快，vo急剧减少。转折区中点输入电压定义为门坎电压Vth，约为1.3V。设输出(shūchū)高电平值域：[VOHmin，3.6V]，VOHmin〉2V输出(shūchū)低电平值域：[0.1V，VOLmax]，VOLmax<0.4V2.输入(shūrù)噪声容限根据传输特性，选择(xuǎnzé)适当的VOLmax、VILmax、VIHmin、VOHmin，获得最佳的噪声容限。3.输入(shūrù)特性当（即vI=VIH）时，T1发射结截止，T2、T5饱和，其反向电流即为高电平输入电流IIH,约为40μA。2)输入负载(fùzài)特性由于R>Ron=2.0k时T5饱和导通(0)，故称Ron为开门(kāimén)电阻。4.输出特性：带上负载后，负载电流(diànliú)与输出电压的关系曲线。有低电平输出特性和高电平输出特性。2）高电平输出特性5.扇出系数驱动相同(xiānꞬtónꞬ)系列的TTL门的个数称为扇出系数,记为N。当驱动门G1输出(shūchū)高电平时，负载门的输入电流近似等于高电平输入电流IIH。如果G1输出(shūchū)的最大高电平电流为ILHmax，则驱动负载门的最大个数为：扇出系数(xìshù)为：6.传输(chuánshū)延迟时间2.2.3TTL与非门/或非门/与或非门2．TTL或非门3．TTL与或非门2.2.4TTL集电极开路(kāilù)门和三态门符号“◇”表示集电极开路,OC门正常使用(shǐyòng)时，必须外接电阻R，与T5形成反相器。(1)当输出高电平时，OC门的输出电流(diànliú)为IOH（等于T5管的穿透电流(diànliú)）,负载门输入电流(diànliú)为IIH,2.三态TTL门TSL门的应用(yìngyòng)2.3CMOS门电路2.3.1MOS管的开关(kāiguān)特性2．PMOS管的开关(kāiguān)特性2.3.2CMOS反相器的工作(gōngzuò)原理1．电压(diànyā)传输特性当2．输入伏安(fúān)特性3．输出特性（2）高电平输出特性2.3.4CMOS与非门/或非门2.CMOS或非门3.带缓冲(huǎnchōng)级的CMOS与非门2.3.5CMOS传输(chuánshū)门/三态门/异或门1.CMOS传输(chuánshū)门当C=1时，传输门导通。设RTG是传输门的导通电阻(diànzǔ)(CC4066:RTG<240Ω)，则输出电压为：3.CMOS异或门内容(nèiróng)总结