会计学教学(jiāoxué)基本要求3.1.1数字集成电路(jíchéng-diànlù)简介TTL2、噪声容限—门电路的抗干扰能力3、传输(chuánshū)延迟时间4、功耗(ɡōnɡhào)6、扇入与扇出数【例1】CMOS门带TTL74LS,已知IOH＝-4mA，IOL＝4mA；IIH＝0.02mA；IIL＝-0.4mA；则有【例2】试计算(jìsuàn)TTL与非门74LS带同类门时的扇出数。三、MOS开关(kāiguān)及其等效电路2、MOS管的开关(kāiguān)特性3.1.4CMOS反相器1、CMOS反相器的工作(gōngzuò)原理1、CMOS反相器的工作(gōngzuò)原理(2)当VI=0时2、CMOS反相器的传输(chuánshū)特性3.1.5CMOS逻辑(luójí)门电路4、输入、输出(shūchū)保护电路和缓冲电路3.1.6CMOS漏极开路(kāilù)门和三态输出门电路(1)漏极开路门电路的结构(jiégòu)及符号(2)上拉电阻对OD门动态(dòngtài)性能的影响(3)上拉电阻(diànzǔ)计算②RP(max)的确定(quèdìng)：【例3·1·1】设3个漏极开路CMOS与非门74HC03作线与连接，驱动1个TTL系列反相器74LS04和一个(yīɡè)3输入与非门74LS10，电路如图3·1·22所示，试确定一个(yīɡè)合适大小的上拉电阻RP，已知VDD=5V,IOZ=5μA。OD门的应用例子：（a）只要驱动(qūdònɡ)门的IOL（max）大于发光二极管的额定电流即可。（b）VO可提高到近12V;2、三态（TSL）输出(shūchū)门电路2、三态（TSL）输出(shūchū)门电路（4）三态输出(shūchū)门的真值表3.1.7CMOS传输(chuánshū)门（TG）3、作为(zuòwéi)模拟开关的工作原理：4、在数字电路中应用(yìngyòng)的工作原理：用CMOS传输门构成的2选1数据选择器如图3.1.27所示。当控制端C=0时，输入端X的信号(xìnhào)被传到输出端，L=X。而当C=1时，L=Y。3.1.8CMOS逻辑(luójí)门电路的技术参数1、NMOS门电路的特点(tèdiǎn)：(2)NMOS反相器工作(gōngzuò)原理：2、NMOS与非门3、NMOS或非门3.2TTL逻辑(luójí)门电路(2)饱和(bǎohé)工作状态NPN型硅BJT三种工作状态(zhuàngtài)的特点2、BJT的开关时间3.2.2基本(jīběn)的BJT反相器4、BJT反相器的动态(dòngtài)性能3.2.3TTL反相器的基本(jīběn)电路③采用输入(shūrù)级以提高工作速度④采用推拉式输出级以提高开关速度(sùdù)和带负载能力2、TTL反相器的传输(chuánshū)特性3.2.4TTL逻辑(luójí)门电路2、TTL或非门电路(diànlù)1、集电极开路(kāilù)门2、三态与非门（TSL）（3）三态与非门的工作(gōngzuò)原理：（4）三态与非门的真值表：3.2.6BiCMOS门电路——综合利用了双极型器件的速度快、驱动能力(nénglì)强和MOSFET的低功耗两方面的优势。3.2.7改进型TTL电路(diànlù)－－抗饱和TTL电路(diànlù)3、肖特基TTL与非门电路(diànlù)（STTL）4、TTL门电路的各种(ɡèzhǒnɡ)系列的性能比较一、ECL门的基本(jīběn)结构VIH=-0.9V,VIL=-1.75V;（2）当A,B中有一个为高电平（设A为高电平）时，T1优先(yōuxiān)导通，使VE=-0.9V－0.7V＝-1.6V，此时T3发射结压降仅0.3V，故T3截止，IE=(-1.6V+5.2)/0.7794.6mA.显然，VO2=0-IB5RC3－0.7V-0.7V；即L2为ECL逻辑高电平。VO1=VC1-0.7V0-IERC1-0.7V=-4.6×0.22-0.7V-1.7V（低电平）即L1为ECL逻辑低电平。2、ECL门的实际(shíjì)电路3、ECL门的工作(gōngzuò)特点1、正负(zhènɡfù)逻辑的规定2、正负(zhènɡfù)逻辑的等效变换1、基本(jīběn)逻辑门电路的等效符号2、逻辑门等效符号(fúhào)的应用对IC，使能端低电平有效，图中G2是输入输出均为低电平有效的与门；便于(biànyú)理解RE,AL与EN间的逻辑关系。3.6.1各种门电路之间的接口(jiēkǒu)问题1、CMOS门驱动(qūdònɡ)TTL门2、TTL门驱动(qūdònɡ)CMOS门3、低电压CMOS电路(diànlù)及接口/3.6.2门电路带负载(fùzài)时的接