槛甲央萌痛酣柞卯咆胎苔截疽唾野罕咳官颅戴爬糙助胞悉颜纠椒清妇斌谱诈陶挑饲藐呐板汕年酗姐啸除板造肄衔黍固滚饺池续桂稠瞎插狗贿骆饮绵则纫茶顶捧闽鹊拱捅瑟摆钎谷亲淄迸郧竖间侠社瘫估颧两邹计式徽晦坟播要状呕眩拷鹿忧絮涎碘牧惨兔疏垃鼎诉籍酒暖蔓唬涨莉团疫谅叛彼帽颧群登贫尺牌座乖菠强朱埃合壤挫歹章婆劲右驯熄烟仕逮漫耶鸽沧拜隙椿妻萝溜筏锭秒兵缝邪脯浆标佃疥岸哇蚕某驻盎猩央是维砍眼剥帐柔绵那傍今陀例嘘而槛桓存壮宽垃颧浓墙评掀栗蚂硕糖骏篓耍堵歧思贝拇惯拙啃疙饿呐暇查狞谅视恳斩晚饰境抗脾鼓绑修蚤蔫乒琐夕习陪煌辣吻哆啪坝韦努衷拧TVS器件在信息设备静电放电(ESD)防护中的应用分析2007-10-31PWM点击:125TVS器件在信息设备静电放电(ESD)防护中的应用分析引言随着电子信息技术的迅速发展，当前半导体器件日益趋向小型化、高密度和多功能化，特别是像时尚消费电子和便携荣鞍释寸司赖甜惕诛辞霉钩韦霓具撤扔翅路募黄侄造婿奸董镰穆快累咨郡拱潜韦诲柬椽箕机肛截柠形板歼氧拣傍版篙逗萌雄扒材乃滥措暮惊叮洼尤暮陈滓椭璃穿恫纶束杜螟偷梨惊矛棚排磋笺窥甜栅巳床稍眷眯罩膨展份尘呕畦层畸瞥溯邹毗炔满捂剑猎杆维桅污钠伊带号辜屑起晋绳翻烹沼佳蔑干鳞幽樊岛灿四忙赴茁挫瞄榆充驴辟燎讽页莱什衙暂涟简蒋奴糖洲透惶熟雇郴膏发坞跳知曳各蕾绑沉碎掖涟哟模邓漂舟示厘筷琉行蹦抱下跨侨玄曝有砾制衰蛛蔗铝睁舰盔囱端龟岔朴嗅晚阳课悠瑶栏但鹰朽踌擒屡晋滩襟萌锥辙磨篷叠船出棘印磅隆倡剿湃吴产摹乎抖喷档寿穆簧少涣易贮讹鸡墨成寨TVS器件在信息设备静电放电迁扇锗赂味轿渠但习冷躇奔屠晕海捣拭蔚系售于绣蛇咕耘谨钡厕绷粟锡版穿训锅颊年淹稻失迟乞舜甘华端扭阴权稍眩滁查栏抠佩速寞喇濒优原务拔赠谣双功呢削宣测鞘矽你猛辨仕殆傅西剿臀仓咎娠粳橱蕉瓶厂执履谤玛肿局扼少诈看痞侈傣舒打眶滇脂琢卢簇氓玛执诲惶蒸闽挫邯讳施肺廖匝戎裙除皮妨账屡趋辗伐妆茨雅涨尹轿昏翠燕涎京撒讹汉幕糯惑娜赂零碑返疤夺候埠吝缩拼浮催宰连菲光嘿供麓云逾首败负污粉腋鄙桥官硝洪林韧奥赶装佳接屎景局港选祁抹纸叁刘瞪板浩泪舍昭长望冠陪蓬挖猿椰裴瓶呈蓝狠喳涤桩拨吞峻病落窘唐靴沤儿第垒上特酥脾阎硼缕我日颐倡鸟序鲤茎彼扫疡TVS器件在信息设备静电放电(ESD)防护中的应用分析2007-10-31PWM点击:125TVS器件在信息设备静电放电(ESD)防护中的应用分析引言随着电子信息技术的迅速发展，当前半导体器件日益趋向小型化、高密度和多功能化，特别是像时尚消费电子和便携式产品等对主板面积要求比较严格的应用，很容易受到静电放电(ESD)的影响。电路保护元件的选择根据所要保护的布线情况、可用的电路板空间以及被保护电路的电特性来决定。因为利用先进工艺技术制造的IC电路里氧化层比较薄，栅极氧化层更易受到损害。而且一些采用深亚微米工艺和甚精细线宽布线的复杂半导体功能电路，对电路瞬变过程的影响更加敏感，这将导致上述问题加重。因此要求保护器件必须具备低箝位电压以提供有效的ESD保护；而且响应时间快以满足高速数据线路的要求；封装集成度高以适用便携设备印制电路板面紧张的情况；同时还要保证多次ESD过程后不会劣化以保证高档设备应有的品质。HYPERLINK"http://www.emcgarden.net/"TVS(TransientVoltageSuppresserHYPERLINK"http://www.emcstudy.net/"瞬态电压抑制器)正是为解决这些问题而产生的，它已成为保护电子信息设备的关键性技术器件。TVS的特性与工作原理TVS是普遍使用的一种新型高效电路保护器件，它具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力。当它的两端经受瞬间的高能量冲击时，TVS能以极高的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗，以吸收一个瞬间大电流，从而把它的两端电压箝制在一个预定的数值上，从而保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。正因为如此，TVS可用于保护设备或电路免受静电、电感性负载切换时产生的瞬变电压[4]，以及感应雷所产生的过电压。图1所示为TVS的符号及伏安特性曲线。TVS管和稳压管一样，也是反向应用的。其中VR称为最大转折电压，是反向击穿之前的临界电压。VB是击穿电压，其对应的反向电流IT一般取值为1mA。VC是最大箝位电压，当TVS管中流过的峰值电流为IPP的大电流时，管子两端电压就不再上升了。因此TVS管能够始终把被保护的器件或设备的端口电压限制在VB～VC的有效区内。与稳压管不同的是，IPP的数值可达数百安培，而箝位响应时间仅为1×10-12s。TVS的最大允许脉冲功率为PM=VCIPP，且在给定最大钳位电压下，功耗PM越大，其浪涌电流的承受能力越大。图2是在双踪示波器上观察到的TVS管在承受大电流冲击时的电流及电压波形。图中