2010/4/8byKevinIC生产流程SiliconApplicationCorp.SiliconApplicationCorp.前言：制造一块IC芯片通常需要400到500道工序。但是概括起来说，它一般分为两大部分：前道工序（front-endproduction）和后道工序（back-endproduction）。[1]前道工序：晶圆加工[2]后道工序：芯片封装芯片生产流程front-endback-endFront-end:A.WafermanufacturingB.WaferprocessingBack-end:A.DicingB.Assembly&PackingFront-endWafermanufacturinga.CrystalPulling：长晶b.CrystalSlicing：切片c.WaferLappingandPolishing：研磨抛光d.Cleaning：洗净长晶：长晶是从硅沙中(二氧化硅)提炼成单晶硅。制造过程是将硅石(Silica)或硅酸盐(Silicate)放入炉中熔解提炼形成冶金级硅，接下来用分馏及还原的方法将其纯化形成电子级硅，但是结晶方式杂乱又称为多晶硅，必需重排成单晶结构。将电子级硅置入坩埚内加温融化，将温度降低，再以一块单晶硅为晶种置入坩埚内，让融化的硅沾附在晶种上以边拉边旋转方式抽离坩埚，而沾附在晶种上的硅亦随之冷凝形成与晶种相同排列的结晶。随着晶种的旋转上升，沾附的硅被拉引成表面粗糙的圆柱状结晶棒。切片：从坩埚中拉出的晶柱表面并不平整，经过工业级钻石磨具的加工，磨成平滑的圆柱，并切除头尾两端锥状段形成标准的圆柱，接着以以高硬度锯片或线锯将圆柱切成片状的晶圆(Wafer)研磨抛光：研磨拋光是机械与化学加工同时进行。机械加工是将晶圆放置在研磨机内，将加工面压贴在研磨垫(PolishingPad)磨擦，并同时滴入具腐蚀性的化学溶剂当研磨液，让磨削与腐蚀同时产生。研磨后的晶圆需用化学溶剂清除表面残留的金属碎屑或有机杂质，再以去离子纯水冲洗吹干，准备进入植入电路制程。洗净：以多步骤的高度无污染洗净程序，包含各种高度洁净的清洗液与超音动处理，除去芯片表面的所有污染物质，使芯片达到可进行芯片加工的状态。Waferprocessinga.Epitoxy:磊晶b.Lithography：微影c.Oxidation：氧化d.Diffusion：扩散e.Etching：蚀刻f.Metalinterconnect：金属联接?晶：指基板以外依组件制程需要沉积的薄膜材料。微影：将光罩(Mask)上的主要图案先转移至感光材料上，利用光线透过光罩照射在感光材料上，再以溶剂浸泡将感光材料受光照射到的部份加以溶解或保留。如此所形成的光阻图案会和光罩完全相同或呈互补。氧化：是半导体电路制作上的基本热制程。氧化制程的目的是在芯片表面形成一层氧化层，以保护芯片免于受到化学作用和做为介电层(绝缘材料)。扩散:扩散(Diffusion)是半导体电路制作上的基本热制程。其目的是藉由外来的杂质使原本单纯的半导体材料的键结型态和能隙产生变化，进而改变它的导电性。蚀刻：泛指将材料使用化学或物理方法移除的意思。以化学方法进行者，称之为湿式蚀刻(WetEtching)，是将芯片浸没于化学溶液中，因为化学溶液与芯片表面产生氧化还原作用而造成表面原子被逐层移除；以物理方法进行蚀刻程序称之为干式蚀刻(DryEtching)，主要是利用电浆离子来轰击芯片表面原子或是电浆离子与表面原子产生化合反应来达到移除薄膜的目的。?属联接：金属联接制程是藉由在硅晶块(Die)上形成薄金属膜图案而组成半导体组件间的电性的连接。金属直接和硅表面接触，且在硅表面形成一金属/硅的接口。当金属沉积覆盖整个晶圆表面时，藉由蚀刻去掉不需存留的金属，形成组件间彼此的连接。对于晶块与外部电路的连接，硅表面