半导体封装制程和设备材料知识介绍-半导体封装制程概述半导体制程封裝型式(PACKAGE)封裝型式封裝型式封裝型式封裝型式封裝型式AssemblyMainProcess常用术语介绍SMT（表面贴装）---包括锡膏印刷(Solderpasteprinting),置件(Chipshooting),回流焊(Reflow),DI水清洗(DIwatercleaning),自动光学检查(Automaticopticalinspection),使贴片零件牢固焊接在substrate上DiePrepare(芯片预处理)ToGrindthewafertotargetthicknessthenseparatetosinglechip---包括来片目检(WaferIncoming),贴膜(WaferTape),磨片(BackGrind),剥膜(Detape),贴片(WaferMount),切割(WaferSaw)等系列工序,使芯片达到工艺所要求的形状,厚度和尺寸,并经过芯片目检(DVI)检测出所有由于芯片生产,分类或处理不当造成的废品.InlineGrinding&Polish--AccretechPG300RM2.Grinding相关材料ATAPE麦拉BGrinding砂轮CWAFERCASSETTLE工艺对TAPE麦拉的要求：工艺对麦拉的要求：3.Grinding辅助设备AWaferThicknessMeasurement厚度测量仪一般有接触式和非接触式光学测量仪两种；BWaferroughnessMeasurement粗糙度测量仪主要为光学反射式粗糙度测量方式；4.Grinding配套设备ATaping贴膜机BDetaping揭膜机CWaferMounter贴膜机WaferTaping--NittoDR300IIlWafermount晶圓切割(Dicing)MainSectionsIntroductionBladeClose-ViewDieSawing–Disco6361AFewConcepts晶圓切割(Dicing)Wmax,Wmin,Lmax,DDY,DY切割時之轉速予切速:a.轉速:指的是切割刀自身的轉速b.切速:指的是Wafer移動速度.晶圓切割(Dicing)切割刀的規格規格就包括刀刃長度、刀刃寬度、鑽石顆粒大小、濃度及Nickelbondhardness軟硬度的選擇Sawblade对製程的影響ProperCutDepthIntoTape(切入膠膜的理想深度)切割刀的影響DiamondGritSize(鑽石顆粒大小)TAPE粘度对SAW製程的影響MountingTape(膠膜黏力)晶圓切割(Dicing)DieAttach(芯片粘贴)ToattachsingledietoSMTedsubstrate---把芯片粘贴到已经过表面贴装(SMT)和预烘烤(Pre-bake)后的基片上,或芯片粘贴到芯片上,并经过芯片粘贴后烘烤(DieAttachCure)固化粘结剂.上片(DieBond)DieAttach–HitachiDB700上片(DieBond)上片(DieBond)SubstrateSubstrateBasicInformation上片(DieBond)BCuringOven无氧化烤箱主要控制要素：N2流量；排气量；profile温度曲线；每箱摆放Magazine数量；CWafermapping应用WireBond(引线键合)DietoPackageInterconnectsHowadieisconnectedtothepackageorboard.---用金线将芯片上的引线孔和基片上的引脚连接，使芯片能与外部电路相连。在引线键合前需要经过等离子清洗(Pre-BondPlasmaClean)以保证键合质量,在引线键合后需要经过内部目检(IVI),检测出所有芯片预处理,芯片粘贴和引线键合产生的废品.WireBond–K&SUltra焊线(WireBond)焊线(WireBond)HowToDesignYourCapillary焊线(WireBond)BallSize等离子工艺PlasmaProcessPlasmaClean–MarchAP1000Mold(模塑)Tomoldstripwithplasticcompoundthenprotectthechiptopreventfromdamaged--塑封元件的线路，以保护元件免受外力损坏，同时加强元件的物理特性,便于使用.在模塑前要经过等离子清洗(Pre-MoldPlasmaClean),以确保模塑质量.在模塑后要经过模塑后固化(PostMoldCure),以固化模塑料.塑封(Molding)机器上指示灯