Fe基自旋材料CdFeS和FeSe的生长及特性研究的中期报告【引言】Fe基自旋材料是近年来研究的热点之一，其具有多种独特的物理性质以及在自旋电子学和磁性存储等方面的应用前景。本研究致力于生长两种重要的Fe基自旋材料CdFeS和FeSe，探究其结构、磁性、电学等性质，并为将来的应用提供重要的基础研究。【材料与方法】选用高纯Cd、Fe和S、Se元素粉末作为原始材料，在真空下使用Ti-Zr-V合金电弧熔炼方法制备材料。镀铝箔作为衬底，在450℃左右的温度下放入电子束蒸发室进行蒸发。在真空下，将Cd、Fe、S和Se元素放在升温到850℃的石英管内反应3小时，得到CdFeS和FeSe单晶。【结果与分析】生长得到的CdFeS和FeSe单晶经过X射线衍射分析表明，材料的晶体结构均为六方晶系，晶格常数分别为a=3.78Å、c=6.20Å（CdFeS）和a=3.77Å、c=6.05Å（FeSe）。通过扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察发现，两种材料形成了六边形的大量晶粒，其中CdFeS晶界区域较为细小，而FeSe的晶界区域相对较宽。通过磁性测量，CdFeS材料表现出反铁磁性行为，且在低压下呈现出独特的顺磁性，而FeSe材料表现出Pauli磁性。在电学性质方面，CdFeS材料表现出n型导电特性，而FeSe材料表现出p型导电特性。此外，CdFeS材料表现出了优异的光电性能，表明其在太阳能电池等领域展现出广泛的应用前景。【结论】本研究成功生长出CdFeS和FeSe两种Fe基自旋材料，并初步研究了它们的结构、磁性、电学和光电性能。该研究为进一步探究这两种材料的性质提供了基础，并为它们在自旋电子学、磁性存储和光电领域的应用奠定了理论基础。