InN基材料的MOCVD生长及特性研究的中期报告InN基材料是近年来研究的热点之一，其具有宽禁带、高电子迁移率等优异性能，适用于红外探测器、高速电子器件等领域。本研究以MOCVD方法为基础，对InN基材料的生长及特性进行研究。在生长方面，我们采用了以三甲基铝和氨为前驱体的MOCVD方法，在不同气氛下进行生长。通过优化生长温度、压力、流量等参数，成功得到了高质量的InN薄膜。我们发现，氢气气氛有利于提高InN薄膜的质量，同时可降低生长温度。通过XRD、SEM等测试手段，确认了InN薄膜的晶体结构、表面形貌、厚度等特性。在特性方面，我们主要关注了InN的光电特性和热稳定性。通过PDS测试，我们发现InN材料具有明显的光吸收峰，且其能带宽度随温度的变化较小。这表明InN材料在高温环境下仍能保持较好的光电性能。同时，我们也研究了InN材料的热稳定性，并发现在较高温度下，InN薄膜也能保持良好的稳定性和结构特性。总体来说，我们的研究结果表明，在MOCVD方法的基础上，可以得到高质量的InN薄膜，并且其具有优异的光电特性和热稳定性。这为今后InN材料的应用研究提供了一定的基础。